FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
漏源电压（Vdss）
150V200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.7A（Tc）9.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
95 毫欧 @ 5.2A，10V100 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 100µA4.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20nC @ 10V29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
810pF @ 25V1240pF @ 25V
功率 - 最大值
18W（Tc）21W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IRFI4019H-117PXKMA1
IRFI4019H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Infineon Technologies
815
现货
1 : ¥23.64000
管件
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
150V
8.7A（Tc）
95 毫欧 @ 5.2A，10V
4.9V @ 50µA
20nC @ 10V
810pF @ 25V
18W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-5 全封装，成形引线
TO-220-5 整包
IRFI4019H-117PXKMA1
IRFI4020H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
Infineon Technologies
1,311
现货
1 : ¥26.11000
管件
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
200V
9.1A（Tc）
100 毫欧 @ 5.5A，10V
4.9V @ 100µA
29nC @ 10V
1240pF @ 25V
21W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-5 全封装，成形引线
TO-220-5 整包
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。