FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V103 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1nC @ 4.5V160nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290pF @ 15V6200pF @ 15V
功率 - 最大值
1.8W（Ta）46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
封装/外壳
6-SMD，扁平引线PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
6-TSOP-FPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
14,264
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.83011
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
30V
60A
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
160nC @ 10V
6200pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
0
现货
查看交期
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，4V 驱动
100V
2A（Ta）
103 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.1nC @ 4.5V
290pF @ 15V
1.8W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-SMD，扁平引线
6-TSOP-F
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。