FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V25V30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA220mA,410mA300mA(Ta)370mA410mA660mA680mA840mA(Tc)1.1A2.3A3.4A,2.8A4.5A(Ta),5A(Ta)6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 6A,10V44 毫欧 @ 4.5A,10V,41 毫欧 @ 5A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V115 毫欧 @ 2.3A,4.5V235 毫欧 @ 1A,4.5V350 毫欧 @ 400mA,4.5V385 毫欧 @ 660mA,4.5V450 毫欧 @ 500mA,4.5V1.1 欧姆 @ 410mA,4.5V1.2 欧姆 @ 300mA,4.5V1.4 欧姆 @ 340mA,10V4 欧姆 @ 220mA,4.5V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1.2nC @ 4.5V1.4nC @ 10V1.5nC @ 4.5V2.3nC @ 4.5V3nC @ 10V3.5nC @ 10V,17.2nC @ 10V7nC @ 4.5V11nC @ 5V13nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9.5pF @ 10V18.5pF @ 30V45pF @ 10V50pF @ 10V50pF @ 25V62pF @ 10V150pF @ 20V,920pF @ 20V400pF @ 15V467pF @ 10V955pF @ 20V-
功率 - 最大值
200mW270mW300mW350mW(Ta)420mW510mW700mW840mW1.1W(Ta)1.5W2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
8-SOICSC-70-6SC-88(SC-70-6)SOT-363SuperSOT™-6TSMT8TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
FDG6322C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
onsemi
28,087
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22552
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
25V
220mA,410mA
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
67,870
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SC-70-6
SI1902DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Vishay Siliconix
10,206
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.40652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
660mA
385 毫欧 @ 660mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.2nC @ 4.5V
-
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
8-SOIC
FDS8949
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
onsemi
16,460
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.73513
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
6A
29 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 5V
955pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
95,374
现货
1,632,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
24,631
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10075
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
370mA
1.4 欧姆 @ 340mA,10V
2.5V @ 250µA
1.4nC @ 10V
18.5pF @ 30V
510mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SC-70-6
SI1902CDL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Vishay Siliconix
6,763
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
1.1A
235 毫欧 @ 1A,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 10V
62pF @ 10V
420mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SG6858TZ
FDC6303N
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
onsemi
22,791
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27198
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
25V
680mA
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SC-70-6
SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Vishay Siliconix
6,722
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.29155
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
840mA(Tc)
350 毫欧 @ 400mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.2nC @ 4.5V
50pF @ 10V
1.5W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SOT 363
FDG6304P
MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
onsemi
5,865
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51781
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
25V
410mA
1.1 欧姆 @ 410mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
62pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SG6858TZ
FDC6312P
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
onsemi
8,181
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.79791
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2.3A
115 毫欧 @ 2.3A,4.5V
1.5V @ 250µA
7nC @ 4.5V
467pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
846~TSMT8~~8 Top
QH8MB5TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Rohm Semiconductor
3,711
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89494
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
40V
4.5A(Ta),5A(Ta)
44 毫欧 @ 4.5A,10V,41 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
3.5nC @ 10V,17.2nC @ 10V
150pF @ 20V,920pF @ 20V
1.1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SMD,扁平引线
TSMT8
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT7828_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,355
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66426
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
300mA(Ta)
1.2 欧姆 @ 300mA,4.5V
1V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
45pF @ 10V
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
/ 13

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。