FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
漏源电压（Vdss）
12V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 2A，4.5V2.4 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.4nC @ 10V6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15pF @ 10V770pF @ 6V
功率 - 最大值
300mW600mW
封装/外壳
SC-74，SOT-457SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SMT6TSMT6（SC-95）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Rohm Semiconductor
2,583
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.87875
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
12V
2A
105 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 1mA
6.5nC @ 4.5V
770pF @ 6V
600mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSMT6（SC-95）
SC-74, SOT-457
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
Rohm Semiconductor
0
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
200mA
2.4 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 1mA
4.4nC @ 10V
15pF @ 10V
300mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SC-74，SOT-457
SMT6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。