FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA200mA280mA300mA305mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 100mA,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.1 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
17pF @ 25V40pF @ 10V50pF @ 25V
功率 - 最大值
150mW200mW250mW285mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
ES6SC-88(SC-70-6)SOT-563SOT-563FUS6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
27,447
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32005
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
56,517
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
22,019
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.42675
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
200mA
2.1 欧姆 @ 500mA,10V
3.1V @ 250µA
-
17pF @ 25V
150mW
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
SOT 563
DMN601VK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Diodes Incorporated
25,999
现货
1,218,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63216
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
305mA
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT-563
2N7002VA
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
onsemi
2,626
现货
3,000
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.46600
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
SOT 563
2N7002VAC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
6,000
现货
327,000
工厂
3,000 : ¥0.88634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
显示
/ 6

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。