TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB 单 FET,MOSFET

结果 : 55
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial CoRenesas Electronics Corporation
系列
-CoolMOS™ CFD7AHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
24 V40 V55 V60 V75 V100 V150 V650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)18A(Tc)24A(Tc)32A(Tc)45A(Tc)105A(Tc)120A(Tc)160A(Tc)180A(Tc)190A(Tc)197A(Tc)220A(Tc)240A(Tc)250A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V16V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.65 毫欧 @ 100A,10V0.8 毫欧 @ 100A,10V0.85 毫欧 @ 125A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 160A,10V1.1毫欧 @ 20A,10V1.25 毫欧 @ 195A,10V1.25 毫欧 @ 80A,10V1.4 毫欧 @ 200A,10V1.6 毫欧 @ 160A,10V1.8 毫欧 @ 30A,10V1.9 毫欧 @ 180A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 2.5mA3.7V @ 150µA3.7V @ 250µA3.8V @ 250µA3.9V @ 250µA4V @ 150µA4V @ 250µA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 250µA4.5V @ 260µA4.5V @ 630µA4.5V @ 820µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V47 nC @ 18 V53 nC @ 10 V68 nC @ 10 V102 nC @ 10 V110 nC @ 10 V132 nC @ 10 V140 nC @ 4.5 V160 nC @ 4.5 V161 nC @ 10 V180 nC @ 4.5 V190 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V+22V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
780 pF @ 1000 V1044 pF @ 400 V2513 pF @ 400 V3288 pF @ 400 V4975 pF @ 400 V5320 pF @ 50 V5360 pF @ 25 V6930 pF @ 25 V7580 pF @ 25 V7700 pF @ 19 V7820 pF @ 25 V7967 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),250W(Tc)1.8W(Ta),348W(Tc)63W(Tc)116W(Tc)127W(Tc)171W(Tc)188W(Tj)227W(Tc)230W(Tc)294W(Tc)300W(Tc)330W(Tc)370W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
D2PAKD2PAK-7D2PAK(7-Lead)PG-TO263-7-3-10PG-TO263-7-900TO-263-7TO-263AB(D2PAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
55结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 55
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IRL40SC209
MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Infineon Technologies
1,247
现货
1 : ¥33.33000
剪切带(CT)
800 : ¥20.13825
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
478A(Tc)
4.5V,10V
0.8 毫欧 @ 100A,10V
2.4V @ 250µA
267 nC @ 4.5 V
±20V
15270 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-263-7, D2Pak
IRL40SC228
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
Infineon Technologies
1,307
现货
1 : ¥34.89000
剪切带(CT)
800 : ¥21.04435
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
557A(Tc)
4.5V,10V
0.65 毫欧 @ 100A,10V
2.4V @ 250µA
307 nC @ 4.5 V
±20V
19680 pF @ 25 V
-
416W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
AUIRF2804STRL7P
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
3,976
现货
1 : ¥39.24000
剪切带(CT)
800 : ¥23.69628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
240A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 160A,10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
6930 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRFS3004TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
10,332
现货
1 : ¥39.40000
剪切带(CT)
800 : ¥23.80373
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
240A(Tc)
10V
1.25 毫欧 @ 195A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9130 pF @ 25 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRFS3107TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Infineon Technologies
7,569
现货
1 : ¥39.57000
剪切带(CT)
800 : ¥23.91516
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
240A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 160A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRFS4010TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
1,633
现货
1 : ¥40.80000
剪切带(CT)
800 : ¥24.65144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 110A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
9830 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R050CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Infineon Technologies
2,851
现货
1 : ¥95.47000
剪切带(CT)
1,000 : ¥54.16059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
45A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 24.8A,10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±20V
4975 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRF2804STRL7PP
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Infineon Technologies
1,783
现货
1 : ¥28.65000
剪切带(CT)
800 : ¥17.30993
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
160A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 160A,10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
6930 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRLS3034TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
7,077
现货
1 : ¥29.14000
剪切带(CT)
800 : ¥17.62034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
240A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 200A,10V
2.5V @ 250µA
180 nC @ 4.5 V
±20V
10990 pF @ 40 V
-
380W(Tc)
-
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRLS3036TRL7PP
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Infineon Technologies
5,601
现货
1 : ¥31.69000
剪切带(CT)
800 : ¥19.13138
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
240A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 180A,10V
2.5V @ 250µA
160 nC @ 4.5 V
±16V
11270 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRF3805STRL-7PP
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Infineon Technologies
905
现货
1 : ¥32.67000
剪切带(CT)
800 : ¥19.70583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
160A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 140A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
7820 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRFS3006TRL7PP
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Infineon Technologies
5,979
现货
1 : ¥45.89000
剪切带(CT)
800 : ¥27.73056
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
240A(Tc)
10V
2.1 毫欧 @ 168A,10V
4V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
8850 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
2,788
现货
1 : ¥40.06000
剪切带(CT)
800 : ¥24.16585
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11490 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
2,447
现货
1 : ¥44.25000
剪切带(CT)
800 : ¥26.69178
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
250A(Tc)
10V
0.85 毫欧 @ 125A,10V
4V @ 250µA
368 nC @ 10 V
±20V
19350 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta),348W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Infineon Technologies
2,421
现货
1 : ¥19.78000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.12675
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 5.2A,10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRFS4115TRL7PP
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Infineon Technologies
821
现货
1 : ¥31.85000
剪切带(CT)
800 : ¥19.22290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
105A(Tc)
10V
11.8 毫欧 @ 63A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
5320 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
3,180
现货
1 : ¥35.46000
剪切带(CT)
800 : ¥21.39859
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
160A(Tc)
10V
1.25 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
236 nC @ 10 V
±20V
13200 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta),250W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
790
现货
1 : ¥49.42000
剪切带(CT)
800 : ¥23.07853
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
250A(Ta)
10V
2.4 毫欧 @ 125A,10V
3.8V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
9500 pF @ 50 V
-
1.8W(Ta),348W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥53.69000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.75301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 12.5A,10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
MCBS220N04Y-TP
MCBS220N04Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
1,600
现货
1 : ¥36.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
6V,10V
1.1毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
132 nC @ 10 V
±20V
7967 pF @ 25 V
-
188W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRFS8408-7TRL
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Infineon Technologies
700
现货
1 : ¥39.32000
剪切带(CT)
800 : ¥23.75334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
240A(Tc)
10V
1 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 250µA
315 nC @ 10 V
±20V
10250 pF @ 25 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-900
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
MCBS220N04Y-TP
MCBS260N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
1,550
现货
1 : ¥48.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
161 nC @ 10 V
±20V
10589 pF @ 25 V
-
375W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R075CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Infineon Technologies
0
现货
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1 : ¥70.93000
剪切带(CT)
1,000 : ¥40.23147
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
32A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 16.4A,10V
4.5V @ 820µA
68 nC @ 10 V
±20V
3288 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
MCBS260N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
1 : ¥55.76000
剪切带(CT)
800 : ¥33.65390
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
260A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
161 nC @ 10 V
±20V
10589 pF @ 30 V
-
375W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-263-7, D2Pak
AUIRF1405ZS-7TRL
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
800 : ¥20.54686
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
120A(Tc)
10V
4.9 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 150µA
230 nC @ 10 V
±20V
5360 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
显示
/ 55

TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。