TO-251-3 短引线，IPAK 单 FET，MOSFET

结果 : 181
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ E6CoolMOS™ P7DTMOSIVMDmesh™ M6
包装
卷带（TR）散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
16 V25 V30 V40 V60 V100 V120 V200 V250 V300 V400 V500 V550 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Tc）1.3A（Tc）1.8A（Tc）2A（Ta）2A（Tc）3A（Ta），18A（Tc）3A（Tc）3.1A（Tc）3.2A（Tc）3.5A（Tc）3.8A（Tc）4A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V4.5V，11.5V5V，10V6V，10V7V，10V8V，10V10V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 20A，10V2.7 毫欧 @ 20A，10V3 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V3.1 毫欧 @ 30A，10V3.6 毫欧 @ 30A，10V3.7 毫欧 @ 30A，10V4 毫欧 @ 30A，10V4 毫欧 @ 50A，10V4.7 毫欧 @ 30A，10V5 毫欧 @ 20A，10V5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 40µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.4V @ 83µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 400 V5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.8 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 25 V130 pF @ 400 V160 pF @ 25 V163 pF @ 100 V170 pF @ 100 V175 pF @ 500 V200 pF @ 25 V225 pF @ 100 V250 pF @ 25 V263 pF @ 100 V280 pF @ 25 V295 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.07W（Ta），35.71W（Tc）1.1W（Ta），35.7W（Tc）1.2W（Ta），25.9W（Tc）1.2W（Ta），34.9W（Tc）1.25W（Ta），58W（Tc）1.26W（Ta），32.6W（Tc）1.27W（Ta），35.3W（Tc）1.27W（Ta），36.6W（Tc）1.3W（Ta），52W（Tc）1.3W（Ta），54.5W（Tc）1.33W（Ta），60W（Tc）1.37W（Ta），27.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）-
供应商器件封装
IPAKPG-TO251-3-11PG-TO251-3-342PG-TO251-3-347PW-MOLD2TO-251TO-251-3TO-251（IPAK）TO-251（型 TH3）TO-251ATO-251BTO-251STO-251S（IPAK SL）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
181结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 181
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
46,872
现货
1 : ¥3.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Tc）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK
8,779
现货
1 : ¥4.76000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
48 毫欧 @ 8A，10V
2.2V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251A
AOI4286
MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,661
现货
1 : ¥5.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 5A，10V
2.9V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线，IPAK
10,371
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
34 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251A
AOI21357
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,182
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
23A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
6.2W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线，IPAK
8,326
现货
1 : ¥6.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.2V @ 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251（IPAK）
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,814
现货
1 : ¥7.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16.5A（Ta），58A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 50 V
-
6.2W（Ta），73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-251B
TO-251-3 短引线，IPAK
186
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
6.2A（Ta）
10V
820 毫欧 @ 3.1A，10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD50N03R-35G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
7.8A（Ta），45A（Tc）
4.5V，11.5V
12 毫欧 @ 30A，11.5V
2V @ 250µA
15 nC @ 11.5 V
±20V
750 pF @ 12 V
-
1.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD4808N-35G
MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta），63A（Tc）
4.5V，11.5V
8 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1538 pF @ 12 V
-
1.4W（Ta），54.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD60N02R-35G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
8.5A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1330 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），58W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.3A（Ta），54A（Tc）
-
5.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
24 nC @ 10 V
-
1932 pF @ 15 V
-
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD4813NH-35G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.6A（Ta），40A（Tc）
4.5V，11.5V
13 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
940 pF @ 12 V
-
1.27W（Ta），35.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4809NH-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.6A（Ta），58A（Tc）
4.5V，11.5V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
2155 pF @ 12 V
-
1.3W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251-3 Stub
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1314 pF @ 15 V
-
1.37W（Ta），29.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD3817N-35G
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
16 V
7.6A（Ta），34.5A（Tc）
4.5V，10V
13.9 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
10.5 nC @ 4.5 V
±16V
702 pF @ 12 V
-
1.2W（Ta），25.9W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD4910N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.2A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
15.4 nC @ 10 V
±20V
1203 pF @ 15 V
-
1.37W（Ta），27.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4804NA-35G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14.5A（Ta），124A（Tc）
4.5V，11.5V
4 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 4.5 V
±20V
4490 pF @ 12 V
-
1.43W（Ta），93.75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
I-Pak
NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.4A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±20V
837 pF @ 15 V
-
1.38W（Ta），26.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251-3
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
4.4A（Tc）
10V
1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251-3 Stub
IPS075N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 15 V
-
47W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4809NA-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.6A（Ta），58A（Tc）
4.5V，11.5V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1456 pF @ 12 V
-
1.3W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
TO-251-3 Stub
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线，IPAK
I-PAK
NTD4906N-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.3A（Ta），54A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1932 pF @ 15 V
-
1.38W（Ta），37.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK
显示
/ 181

TO-251-3 短引线，IPAK 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。