TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA 单 FET,MOSFET

结果 : 759
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSNXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-aMOS™CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ CECoolMOS™ P7CoolMOS™PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIDepletionEFDmesh™ IIHEXFET®
包装
剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V16 V20 V24 V25 V28 V30 V35 V40 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Tc)200mA(Tc)400mA(Tc)500mA(Tc)600mA(Tc)750mA(Tc)800mA(Ta)800mA(Tc)900mA(Tc)1A(Ta)1A(Tc)1.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V4V,10V4V,5V4.5V,10V4.5V,11.5V5V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.98 毫欧 @ 90A,10V2.4 毫欧 @ 90A,10V3.1 毫欧 @ 25A,10V3.1 毫欧 @ 76A,10V3.3 毫欧 @ 15A,10V3.3 毫欧 @ 40A,10V3.5 毫欧 @ 75A,10V3.9 毫欧 @ 30A,10V4 毫欧 @ 15A,10V4 毫欧 @ 30A,10V4.25 毫欧 @ 60A,10V4.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.4V @ 1mA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 40µA2V @ 50µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V1.8 nC @ 5 V2.63 nC @ 10 V3.4 nC @ 10 V3.76 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.2 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±15V±16V±20V±22V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
54 pF @ 25 V60 pF @ 25 V65 pF @ 20 V84 pF @ 100 V92 pF @ 25 V93 pF @ 100 V100 pF @ 25 V102 pF @ 100 V105 pF @ 100 V115 pF @ 100 V115 pF @ 20 V120 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
1W(Ta),15W(Tc)1W(Ta),19W(Tc)1W(Ta),20W(Tc)1W(Ta),23W(Tc)1W(Ta),26W(Tc)1W(Ta),30W(Tc)1W(Ta),35W(Tc)1W(Ta),38W(Tc)1W(Ta),40W(Tc)1W(Ta),50W(Tc)1W(Ta),52W(Tc)1W(Ta),84W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DPAK3(IPAK)IPAKIPAK/TPIPAK(TO-251AA)IPAK(TO-251)P-TO251-3-1PG-TO251-3PG-TO251-3-21PG-TO251-3-341TO-251TO-251-3TO-251ATO-251AATO-251S
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
759结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 759
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IPAK (TO-251)
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
Infineon Technologies
14,832
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRLU8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A IPAK
Infineon Technologies
3,622
现货
1 : ¥13.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
160A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 25A,10V
2.35V @ 100µA
59 nC @ 4.5 V
±20V
4880 pF @ 15 V
-
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRFU4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
Infineon Technologies
3,583
现货
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
33A(Tc)
10V
42 毫欧 @ 21A,10V
5V @ 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
SIHLU024-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Vishay Siliconix
1,556
现货
1 : ¥6.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Tc)
4V,5V
100 毫欧 @ 8.4A,5V
2V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±10V
870 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251-3 Long Leads IPak
STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
STMicroelectronics
1,552
现货
1 : ¥6.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
5V,10V
100 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 5 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
42.8W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRFU9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Infineon Technologies
3,777
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
11A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRLU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Infineon Technologies
8,214
现货
1 : ¥7.22000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Tc)
4V,10V
185 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±16V
440 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRFU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Infineon Technologies
5,205
现货
1 : ¥7.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
9.4A(Tc)
10V
210 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STD3NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
STMicroelectronics
2,896
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.4A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRFU120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Vishay Siliconix
1,020
现货
1 : ¥8.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.7A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 4.6A,10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRLU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Infineon Technologies
4,991
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
105 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
IRFU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Infineon Technologies
3,201
现货
1 : ¥9.11000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
3W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
4,193
现货
1 : ¥9.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRLU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Vishay Siliconix
2,772
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.7A(Tc)
4V,5V
200 毫欧 @ 4.6A,5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRFU9310PBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Vishay Siliconix
4,193
现货
1 : ¥12.48000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRFU9024PBF
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Vishay Siliconix
3,054
现货
1 : ¥12.81000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.8A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STU13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
STMicroelectronics
1,336
现货
1 : ¥13.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251AA
IRFU024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Vishay Siliconix
696
现货
1 : ¥13.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STD2NK90Z-1
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
STMicroelectronics
2,885
现货
1 : ¥15.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
2.1A(Tc)
10V
6.5 欧姆 @ 1.05A,10V
4.5V @ 50µA
27 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STMicroelectronics
10,491
现货
1 : ¥18.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±25V
718 pF @ 100 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251
AOU3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,299
现货
1 : ¥5.42000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
331 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPAK (TO-251)
SIHFU310-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
Vishay Siliconix
2,807
现货
1 : ¥5.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
IPU80R4K5P7AKMA1
IPU80R4K5P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO251-3
Infineon Technologies
1,480
现货
1 : ¥6.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.5A(Tc)
10V
4.5 옴 @ 400mA,10V
3.5V @ 200µA
4 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 500 V
-
13W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3-21
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
I-Pak
STU6NF10
MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
STMicroelectronics
2,972
现货
1 : ¥7.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251
AOU4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,973
现货
1 : ¥7.88000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4A(Tc)
10V
2.3 欧姆 @ 2A,10V
4.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±30V
640 pF @ 25 V
-
104W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 759

TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。