SOT-563,SOT-666 单 FET,MOSFET

结果 : 72
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIIU-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)280mA(Ta)770mA(Ta)860mA(Ta)870mA(Ta)940mA(Ta)960mA(Ta)980mA(Ta)1A(Ta)1.02A(Tc)1.06A(Ta)1.18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,2.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,10V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 3.5A,4.5V40.7 毫欧 @ 3A,4.5V47 毫欧 @ 2A,4.5V49 毫欧 @ 2A,4.5V50 毫欧 @ 3A,10V59 毫欧 @ 3A,4.5V64 毫欧 @ 1.5A,4.5V72 毫欧 @ 1.5A,10V72 毫欧 @ 2A,4.5V78 毫欧 @ 1.8A,4.5V84 毫欧 @ 1.5A,4.5V85 毫欧 @ 1.5A,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.3V @ 1mA1.4V @ 1mA1.45V @ 250µA1.5V @ 250µA1.55V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 4.2 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V2 nC @ 10 V2.4 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3 nC @ 4.5 V3.1 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V8V±8V±10V±12V20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11 pF @ 3 V70 pF @ 25 V88 pF @ 10 V110 pF @ 15 V120 pF @ 10 V120 pF @ 6 V123 pF @ 15 V128 pF @ 10 V130 pF @ 10 V137 pF @ 15 V172 pF @ 10 V195 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)170mW(Ta)236mW(Ta)240mW(Tc)330mW(Ta)350mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta)800mW(Ta)850mW(Ta)1W(Ta)-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
6-SCHES6SC-89-6SC-89(SOT-563F)SOT-563SOT-563/SCH6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
72结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 72
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
22,432
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.75545
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
1.8A(Ta)
1.8V,8V
195 毫欧 @ 1A,8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
onsemi
17,642
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.63417
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
11,294
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.88136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.6A(Ta)
1.8V,10V
50 毫欧 @ 3A,10V
1.2V @ 1mA
7.9 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
Pkg 5880
SI1050X-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Vishay Siliconix
50,009
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
1.34A(Ta)
1.5V,4.5V
86 毫欧 @ 1.34A,4.5V
900mV @ 250µA
11.6 nC @ 5 V
±5V
585 pF @ 4 V
-
236mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89(SOT-563F)
SOT-563,SOT-666
19,879
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.18666
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.3A(Ta)
1.8V,4V
85 毫欧 @ 1.5A,4V
1V @ 1mA
-
±12V
270 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
SOT 563
DMP2104V-7
MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Diodes Incorporated
15,539
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±12V
320 pF @ 16 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
11,880
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
3.56 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 16 V
-
350mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
Pkg 5880
SI1077X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V SC89-6
Vishay Siliconix
15,035
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.75A(Ta)
1.5V,4.5V
78 毫欧 @ 1.8A,4.5V
1V @ 250µA
31.1 nC @ 8 V
±8V
965 pF @ 10 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89(SOT-563F)
SOT-563,SOT-666
2,000
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.28154
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1A(Ta)
1.5V,4V
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 1mA
2.4 nC @ 4.5 V
8V
220 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
Pkg 5880
SI1078X-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Vishay Siliconix
5,797
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80063
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.02A(Tc)
2.5V,10V
142 毫欧 @ 1A,10V
1.5V @ 250µA
3 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
240mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
SOT-563,SOT-666
3,995
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.91912
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4V,10V
251 毫欧 @ 650mA,10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
137 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
SI1079X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Vishay Siliconix
5,890
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99916
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.44A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 1.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±12V
750 pF @ 15 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-6
SOT-563,SOT-666
3,980
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.07021
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.9A(Ta)
1.8V,4V
133 毫欧 @ 1A,4V
1V @ 1mA
1.9 nC @ 4 V
±12V
123 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZS3151PT1H
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
onsemi
0
现货
4,000 : ¥0.77858
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
860mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
5.6 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 16 V
-
170mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1330-TL-H
MOSFET P-CH 20V 1.5A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7 nC @ 4.5 V
±10V
120 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1337-TL-W
MOSFET P-CH 30V 2A SOT563/SCH6
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4V,10V
150 毫欧 @ 1A,10V
2.6V @ 1mA
3.9 nC @ 10 V
±20V
172 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1334-TL-H
MOSFET P-CH 12V 1.6A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
1.6A(Ta)
1.8V,4.5V
215 毫欧 @ 800mA,4.5V
1.3V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
±10V
120 pF @ 6 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1436-TL-W
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563/SCH6
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.8A(Ta)
4V,10V
180 毫欧 @ 900mA,10V
2.6V @ 1mA
2 nC @ 10 V
±20V
88 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1332-TL-W
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT563/SCH6
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±10V
375 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1436-TL-H
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.8A(Ta)
4V,10V
180 毫欧 @ 900mA,10V
-
2 nC @ 10 V
±20V
88 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1337-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4V,10V
150 毫欧 @ 1A,10V
-
3.9 nC @ 10 V
±20V
172 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1335-TL-H
MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
112 毫欧 @ 1A,4.5V
-
3.1 nC @ 4.5 V
±10V
270 pF @ 6 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1433-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT563/SCH6
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.3V @ 1mA
2.8 nC @ 4.5 V
±10V
260 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1430-TL-H
MOSFET N-CH 20V 2A 6SCH
onsemi
0
现货
5,000 : ¥1.05717
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
1.8V,4.5V
125 毫欧 @ 1A,4.5V
-
1.8 nC @ 4.5 V
±12V
128 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
SOT-563-6_463A
SCH1435-TL-W
MOSFET N-CH 30V 3A 6SCH
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
1.8V,4.5V
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
-
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
265 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-SCH
SOT-563,SOT-666
显示
/ 72

SOT-563,SOT-666 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。