SMC Diode Solutions 单 FET,MOSFET

结果 : 18
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
技术
SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tc)17A(Tc)21A(Tc)36A(Tc)37A(Tj)41A(Tc)63A(Tc)63A(Tj)70A(Tj)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 50A,20V100 毫欧 @ 20A,20V150 毫欧 @ 13.3A,20V196 毫欧 @ 10A,20V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 10mA4V @ 15mA4V @ 2.5mA4V @ 3.3mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26.5 nC @ 20 V29.6 nC @ 20 V54 nC @ 20 V130 nC @ 20 V177 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+20V,-5V+25V,-10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
513 pF @ 1000 V652 pF @ 1000 V1324 pF @ 1000 V4150 pF @ 1000 V4402 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
122W(Tc)130W(Tc)153W(Tc)156W(Tc)176W(Tc)231W(Tc)234W(Tc)311W(Tc)446W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-227TO-247-3TO-247-4TO-247ADTO-263-7
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247AD
S2M0160120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
286
现货
1 : ¥43.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
17A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-4
S2M0160120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥49.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
17A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
S2M0120120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥51.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
21A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 13.3A,20V
4V @ 3.3mA
29.6 nC @ 20 V
+20V,-5V
652 pF @ 1000 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-263-7
S2M0160120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥52.53000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
16A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
122W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0120120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
284
现货
1 : ¥51.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
21A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 13.3A,20V
4V @ 3.3mA
29.6 nC @ 20 V
+20V,-5V
652 pF @ 1000 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-263-7
S2M0120120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥57.88000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
21A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 13.3A,20V
4V @ 3.3mA
29.6 nC @ 20 V
+20V,-5V
652 pF @ 1000 V
-
153W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-263-7
S2M0080120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥84.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
37A(Tj)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+20V,-5V
1324 pF @ 1000 V
-
234W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
216
现货
1 : ¥116.65000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+25V,-10V
1324 pF @ 1000 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-4
S2M0080120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
260
现货
1 : ¥120.02000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+25V,-10V
1324 pF @ 1000 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
1655(3)
S2M0040120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
221
现货
1 : ¥197.43000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
S2M0040120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
113
现货
1 : ¥200.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247AD
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥347.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tj)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
130 nC @ 20 V
+25V,-10V
4402 pF @ 1000 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-4
S2M0025120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
270
现货
1 : ¥350.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
130 nC @ 20 V
+25V,-10V
4402 pF @ 1000 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-263-7
S2M0025120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
50
现货
1 : ¥192.61000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
70A(Tj)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
177 nC @ 20 V
+25V,-10V
4150 pF @ 1000 V
-
311W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
ISOTOP
S2M0080120N
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
36
现货
1 : ¥213.52000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
36A(Tc)
20V
100 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 10mA
54 nC @ 20 V
+20V,-5V
1324 pF @ 1000 V
-
176W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
S2M0160120T
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥39.87000
剪切带(CT)
300 : ¥25.58043
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
S2M0120120T
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥48.11000
剪切带(CT)
300 : ¥30.85620
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
S2M0080120T
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥67.58000
剪切带(CT)
300 : ¥45.45327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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SMC Diode Solutions 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。