PowerPAK® 1212-8SH 单 FET,MOSFET

结果 : 29
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen IITrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V70 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A(Ta)11.3A(Tc)12.5A(Ta)12.6A(Ta),34.4A(Tc)13.5A(Ta)13.9A(Ta),35A(Tc)14A(Ta)14.4A(Ta),35A(Tc)15A(Ta),20A(Tc)15.4A(Ta),25A(Tc)16A(Ta),54A(Tc)16.9A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V3.3V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 20A,10V2.15 毫欧 @ 15A,10V3 毫欧 @ 10A,10V3.25 毫欧 @ 10A,10V3.7 毫欧 @ 10A,10V4.3 毫欧 @ 10A,10V4.4 毫欧 @ 20A,10V4.6 毫欧 @ 10A,10V4.8 毫欧 @ 20A,10V4.9 毫欧 @ 22A,10V5.1 毫欧 @ 10A,10V5.3 毫欧 @ 21.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 4.5 V23 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V32 nC @ 10 V33 nC @ 10 V33.5 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V+16V,-12V±16V+20V,-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
997 pF @ 15 V1150 pF @ 15 V1230 pF @ 15 V1400 pF @ 15 V1450 pF @ 15 V1530 pF @ 20 V1600 pF @ 10 V1650 pF @ 15 V1700 pF @ 15 V1800 pF @ 15 V2070 pF @ 15 V2280 pF @ 35 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)1.5W(Tc)3.5W(Ta),26.5W(Tc)3.5W(Ta),28W(Tc)3.57W(Ta),26.5W(Tc)3.6W(Ta),33W(Tc)3.6W(Ta),39W(Tc)3.67W(Ta),41.6W(Tc)3.7W(Ta),39W(Tc)3.7W(Ta),52W(Tc)3.8W(Ta),52.1W(Tc)3.8W(Ta),52W(Tc)4.8W(Ta),57W(Tc)5W(Ta),65.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
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/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK-1212-8SH_Bottom
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Vishay Siliconix
23,615
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.93860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
17,4A(Ta),63A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 40 V
-
5W(Ta),65.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Vishay Siliconix
18,529
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16.9A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Vishay Siliconix
71,863
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
22,1A(Ta),35A(Tc)
2.5V,10V
4.4 毫欧 @ 20A,10V
1.5V @ 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,056
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68527
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
24.7A(Ta),67.4A(Tc)
4.5V,10V
3.25 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
+16V,-12V
1150 pF @ 15 V
-
3.57W(Ta),26.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISHA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
Vishay Siliconix
9,820
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91409
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19.7A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
+20V,-16V
1450 pF @ 15 V
-
3.57W(Ta),26.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Vishay Siliconix
3,518
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.51984
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
22A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Vishay Siliconix
27,144
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.65843
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
15.4A(Ta),25A(Tc)
1.8V,4.5V
9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V
1V @ 250µA
93.8 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 10 V
-
3.6W(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8S
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Vishay Siliconix
6,030
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.08636
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 19A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8S
SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Vishay Siliconix
17,145
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.87111
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13.9A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
12.3 毫欧 @ 13.9A,10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Vishay Siliconix
4,970
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.46325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
47.1A(Ta),162A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
65 nC @ 10 V
+16V,-12V
2950 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.82542
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17.6A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
7.6 毫欧 @ 16.2A,10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Vishay Siliconix
5,916
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.61363
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12.5A(Ta)
2.5V,4.5V
6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Vishay Siliconix
5,400
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17,3A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Vishay Siliconix
5,971
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.12677
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
14A(Ta)
4.5V,10V
4.9 毫欧 @ 22A,10V
2V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Vishay Siliconix
2,943
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.56983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),25A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
+20V,-16V
2070 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8S
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.75730
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.4A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
11.4 毫欧 @ 14.4A,10V
2.8V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),52.1W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Vishay Siliconix
5,826
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.11805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30.9A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.15 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
77 nC @ 10 V
+20V,-16V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Vishay Siliconix
6,000
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.34945
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
19.6A(Ta),67.4A(Tc)
3.3V,4.5V
6.25 毫欧 @ 10A,4.5V
1.6V @ 250µA
33.5 nC @ 4.5 V
±12V
2780 pF @ 35 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
SISS78LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Vishay Siliconix
5,995
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.34945
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
70 V
19.4A(Ta),66.7A(Tc)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2280 pF @ 35 V
-
4.8W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH472DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Vishay Siliconix
3,700
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.94953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
997 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK-1212-8SH_Top
SISH107DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
11,780
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.31345
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.6A(Ta),34.4A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
3.57W(Ta),26.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK 1212-8SH
SISH114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Vishay Siliconix
5,982
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.30398
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta),35A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK-1212-8SH_Top
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
12,009
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.43276
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 10 V
+20V,-16V
1650 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),26.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK-1212-8SH_Top
SISH103DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
11,413
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.79315
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta),54A(Tc)
4.5V,10V
155 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±25V
2540 pF @ 15 V
-
3.67W(Ta),41.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK-1212-8SH_Top
SISHA06DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
11,930
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.34441
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
28.1A(Ta),104A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
+20V,-16V
3932 pF @ 15 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
显示
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PowerPAK® 1212-8SH 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。