i4-Pac™-5（3 引线） 单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
IXYSLittelfuse Inc.
系列
-CoolMOS™
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
600 V2500 V4000 V4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）300mA（Tc）900mA（Tc）1A（Tc）1.4A（Tc）41A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 25A，10V40 欧姆 @ 500mA，10V40 欧姆 @ 50mA，10V60 欧姆 @ 500mA，10V85 欧姆 @ 50mA，10V300 欧姆 @ 150mA，10V750 欧姆 @ 10mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 3mA4V @ 250µA6V @ 250µA6.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.4 nC @ 10 V16.3 nC @ 10 V40 nC @ 10 V41 nC @ 10 V78 nC @ 10 V88 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
256 pF @ 25 V435 pF @ 25 V1660 pF @ 25 V1730 pF @ 25 V2530 pF @ 25 V3300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
70W（Tc）78W（Tc）110W160W（Tc）190W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXBF12N300
IXTF02N450
MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
IXYS
436
现货
525
工厂
1 : ¥358.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4500 V
200mA（Tc）
10V
750 欧姆 @ 10mA，10V
6.5V @ 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
256 pF @ 25 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
IXBF12N300
IXTF1N450
MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
Littelfuse Inc.
98
现货
1 : ¥801.15000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4500 V
900mA（Tc）
10V
85 欧姆 @ 50mA，10V
6.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
i4-Pac™-5, 3 leads
IXTF1R4N450
MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
IXYS
50
现货
1 : ¥671.61000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4500 V
1.4A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 50mA，10V
6V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
IXTF1N250
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥466.46000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2500 V
1A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1660 pF @ 25 V
-
110W
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC
IXKF40N60SCD1
MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
41A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 25A，10V
3.9V @ 3mA
250 nC @ 10 V
±20V
-
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
IXBF12N300
IXTF1N400
MOSFET N-CH 4000V 1A I4PAC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4000 V
1A（Tc）
10V
60 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
2530 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
IXBF12N300
IXTF03N400
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
4000 V
300mA（Tc）
10V
300 欧姆 @ 150mA，10V
4V @ 250µA
16.3 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
ISOPLUS i4-PAC™
i4-Pac™-5（3 引线）
显示
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i4-Pac™-5（3 引线） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。