Goford Semiconductor 单 FET,MOSFET

结果 : 328
系列
-Cool MOS™GGTSGTTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V15 V16 V20 V30 V40 V45 V60 V80 V85 V90 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA(Tc)1A(Tc)1.6A(Tc)1.7A(Tc)2A2A(Tc)2.2A(Tc)2.5A(Tc)2.8A(Tc)3A(Tc)3.4A(Tc)3.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4.5V,10V4.5V4.5V,10V5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 20A,10V1.5 毫欧 @ 30A,10V1.6 毫欧 @ 10A,10V1.6 毫欧 @ 15A,10V1.7 毫欧 @ 30A,10V1.9 毫欧 @ 80A,10V2 毫欧 @ 20A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 50A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 30A,10V2.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 10 V2.5 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V9.1 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±16V±18V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
68 pF @ 150 V190 pF @ 50 V206 pF @ 50 V209 pF @ 50 V212 pF @ 50 V230 pF @ 15 V247 pF @ 50 V253 pF @ 50 V255 pF @ 25 V300 pF @ 10 V387 pF @ 10 V405 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
710mW(Tc)890mW(Tc)960mW1W(Tc)1.05W(Tc)1.2W(Tc)1.25W1.25W(Tc)1.3W1.3W(Tc)1.4W(Ta)1.4W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-SOP8-TSSOPSOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6LSOT-89TO-220
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SOT-23-6TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
328结果
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/ 328
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2302
2301H
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Goford Semiconductor
2,816
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.8A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.4V @ 250µA
12 nC @ 2.5 V
±20V
405 pF @ 10 V
-
890mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G500P03IE
G500P03IE
MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET(金属氧化物)
-
4.6A(Tc)
2.5V,4.5V,10V
55 毫欧 @ 4A,10V
1.3V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±12V
680 pF @ 15 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
-
2302
2300F
N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Goford Semiconductor
2,889
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48131
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
2.5V,4.5V
27 毫欧 @ 2.3A,4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
630 pF @ 10 V
-
1.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G60KN30I
G60KN30I
MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Goford Semiconductor
1,255
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49735
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
300mA(Tc)
10V
5.4 欧姆 @ 300mA,10V
4V @ 250µA
2.5 nC @ 10 V
±30V
68 pF @ 150 V
-
710mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G2K3N10H
G1K1P06HH
P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Goford Semiconductor
4,450
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.77858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.5A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
981 pF @ 30 V
-
3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
G2012
G220P02D2
P-20V,-8A,RD(MAX)<25M@-4.5V,VTH-
Goford Semiconductor
2,990
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8A(Tc)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 6A,10V
1.2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±12V
1873 pF @ 10 V
-
3.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
G3404LL
G7K2N20LLE
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Goford Semiconductor
2,778
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
2A(Tc)
4.5V,10V
700mOhm @ 1A, 10V
2.5V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
577 pF @ 100 V
-
1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
2302
3400
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Goford Semiconductor
4,590
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53812
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Tc)
4.5V,10V
59 毫欧 @ 2.8A,2.5V
1.4V @ 250µA
9.5 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
2302
G250N03IE
N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Goford Semiconductor
2,830
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52945
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Tc)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.3V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±10V
573 pF @ 15 V
-
1.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
2302
2301
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Goford Semiconductor
9,916
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Tc)
2.5V,4.5V
56 毫欧 @ 1.7A,4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 2.5 V
±10V
405 pF @ 10 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
06N06L
N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Goford Semiconductor
9,553
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.5A
-
42 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
765 pF @ 30 V
-
960mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G1003B
N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Goford Semiconductor
4,046
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3A(Tc)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 50 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G2003A
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Goford Semiconductor
1,757
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
190 V
3A(Tc)
4.5V,10V
540 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
2302
3415A
P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Goford Semiconductor
15,876
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Tc)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1.1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±10V
950 pF @ 10 V
-
1.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G500P03IE
G3416
MOSFET N-CH ESD 20V 6A SOT-23
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
MOSFET(金属氧化物)
-
6A(Tc)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 3A,4.5V
1.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±12V
748 pF @ 10 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
-
G1002
G1002
MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Goford Semiconductor
2,990
现货
1 : ¥3.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58144
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Tc)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
535 pF @ 50 V
-
1.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G05P06L
P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Goford Semiconductor
4,924
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86940
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5A(Tc)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1366 pF @ 50 V
-
2.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G2012
G20N03D2
N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Goford Semiconductor
4,572
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86940
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 30 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
G08N02L
G5N02L
N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Goford Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57758
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Tc)
2.5V,10V
18 毫欧 @ 4.2A,10V
1V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
780 pF @ 10 V
-
1.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G6N02L
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Goford Semiconductor
2,773
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86940
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3A(Tc)
4.5V,10V
210 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
18.2 nC @ 10 V
±20V
622 pF @ 25 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
G3404LL
G1K1P06LL
P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Goford Semiconductor
1,856
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3A(Tc)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1035 pF @ 30 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
G30N04D3
GT100N04D3
N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Goford Semiconductor
4,609
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.04472
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
642 pF @ 20 V
-
23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(3.15x3.05)
8-PowerVDFN
GT095N04D3
GT095N04D3
MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Goford Semiconductor
4,194
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.04472
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
47A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
947 pF @ 20 V
-
22.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(3.15x3.05)
8-PowerVDFN
G06N06S
G33N03S
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Goford Semiconductor
3,830
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.10069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 8A,10V
1.1V @ 250µA
13 nC @ 5 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
G06N06S
G7P03S
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
Goford Semiconductor
3,626
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.10069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 3A,10V
2V @ 250µA
24.5 nC @ 10 V
±20V
1253 pF @ 15 V
-
2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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Goford Semiconductor 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。