DirectFET™ 等距 M4 单 FET,MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta)14A(Ta),68A(Tc)22A(Ta),108A(Tc)27A(Ta),137A(Tc)179A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 85A,10V3 毫欧 @ 65A,10V3 毫欧 @ 67A,10V7 毫欧 @ 41A,10V10 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 150µA3.9V @ 150µA4V @ 150µA4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V78 nC @ 4.5 V108 nC @ 10 V204 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2170 pF @ 25 V4267 pF @ 25 V5055 pF @ 25 V5305 pF @ 25 V6867 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),62.5W(Tc)2.5W(Ta),63W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DIRECTFET M4
AUIRF7648M2TR
MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
Infineon Technologies
9,599
现货
1 : ¥28.65000
剪切带(CT)
4,800 : ¥13.39031
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Ta),68A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 41A,10V
4.9V @ 150µA
53 nC @ 10 V
±20V
2170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
DIRECTFET M4
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Infineon Technologies
27,937
现货
1 : ¥33.25000
剪切带(CT)
4,800 : ¥15.52488
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27A(Ta),137A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 85A,10V
3.9V @ 150µA
204 nC @ 10 V
±20V
6867 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
DIRECTFET M4
AUIRL7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Infineon Technologies
4,800
现货
1 : ¥28.16000
剪切带(CT)
4,800 : ¥13.16659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
179A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 67A,10V
2.5V @ 150µA
78 nC @ 4.5 V
±16V
5055 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
DIRECTFET M4
AUIRF7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET
Infineon Technologies
3,850
现货
1 : ¥28.82000
剪切带(CT)
4,800 : ¥13.44675
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),108A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 65A,10V
4V @ 150µA
108 nC @ 10 V
±20V
4267 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
DIRECTFET M4
AUIRL7766M2TR
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 31A,10V
2.5V @ 150µA
66 nC @ 4.5 V
±16V
5305 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DirectFET™ 等距 M4
DirectFET™ 等距 M4
显示
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DirectFET™ 等距 M4 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。