ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 单 FET,MOSFET

结果 : 15
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)200mA(Ta)220mA(Ta)340mA(Ta)2A(Ta)3A(Ta)4A(Ta)4.4A(Ta)5.6A(Ta)6.8A(Ta)36A(Tc)60A(Tc)65A(Tc)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 6.8A,4.5V27 毫欧 @ 5.6A,10V34 毫欧 @ 50A,20V55 毫欧 @ 40A,20V55 毫欧 @ 3A,4.5V55 毫欧 @ 4.4A,10V98 毫欧 @ 20A,20V120 毫欧 @ 4A,10V280 毫欧 @ 2A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V5 欧姆 @ 200mA,10V5 欧姆 @ 300mA,10V8 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 10mA4V @ 15mA4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V3.81 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V5.3 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V11.05 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V79 nC @ 20 V142 nC @ 20 V195 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±20V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14 pF @ 50 V18 pF @ 30 V27 pF @ 25 V30 pF @ 30 V220 pF @ 10 V330 pF @ 50 V535 pF @ 15 V680 pF @ 15 V888 pF @ 10 V930 pF @ 30 V1475 pF @ 1000 V2946 pF @ 1000 V3600 pF @ 1000 V4200 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
225mW(Ta)350mW(Ta)700mW(Ta)1.2W(Ta)1.5W(Ta)192W(Tc)330W(Tc)370W(Tc)463W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3LTO-247-3TO-247-4
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
97,765
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
77,524
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19369
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
340mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
110,645
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
116,559
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS2302
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
23,852
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26579
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
55 毫欧 @ 3A,4.5V
1.25V @ 250µA
3.81 nC @ 4.5 V
±10V
220 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
3,757
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37563
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.8A(Ta)
1.8V,4.5V
18 毫欧 @ 6.8A,4.5V
1V @ 250µA
11.05 nC @ 4.5 V
±10V
888 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS3401
AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
50,623
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.4A(Ta)
2.5V,10V
55 毫欧 @ 4.4A,10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
680 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS2324
AS2324
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
30,831
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Ta)
4.5V,10V
280 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 50 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS3400
AS3400
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
6,347
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.6A(Ta)
2.5V,10V
27 毫欧 @ 5.6A,10V
1.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
535 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS6004
AS6004
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
14,881
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3L
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AS1M025120P
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
124
现货
1 : ¥312.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
195 nC @ 20 V
+25V,-10V
3600 pF @ 1000 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
AS1M080120P
AS1M080120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
88
现货
1 : ¥94.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
20V
98 毫欧 @ 20A,20V
4V @ 5mA
79 nC @ 20 V
+25V,-10V
1475 pF @ 1000 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
AS2M040120P
AS2M040120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
50
现货
1 : ¥169.85000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
20V
55 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
142 nC @ 20 V
+25V,-10V
2946 pF @ 1000 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
AS1M040120T
AS1M040120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
17
现货
1 : ¥170.02000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
20V
55 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
142 nC @ 20 V
+25V,-10V
2946 pF @ 1000 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
AS1M025120T
AS1M025120T
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
15
现货
1 : ¥312.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
65A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
195 nC @ 20 V
+25V,-10V
4200 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
/ 15

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。