9A（Ta），40A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.4 毫欧 @ 30A，10V14.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 23µA3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 50 V2300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），52W（Tc）2.2W（Ta），43W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™PG-TDSON-8 FL
封装/外壳
3-WDSON8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-WDSON
BSF134N10NJ3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Infineon Technologies
4,985
现货
1 : ¥17.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.53526
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
13.4 毫欧 @ 30A，10V
3.5V @ 40µA
30 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 50 V
-
2.2W（Ta），43W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MG-WDSON-2，CanPAK M™
3-WDSON
PG-TDSON-8 FL
BSZ0803LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
14.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 23µA
15 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
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9A（Ta），40A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。