96A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIG3R™HEXFET®HiPerFET™, PolarMDmesh™ VOptiMOS™PolarPolarHT™ HiPerFET™PowerTrench®StrongIRFET™TrenchTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
12 V60 V68 V85 V100 V150 V200 V250 V650 V750 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.1 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 15A,4.5V7.4 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 48A,10V8.5 毫欧 @ 96A,10V10 毫欧 @ 58A,10V11.1 毫欧 @ 96A,10V12 毫欧 @ 58A,10V13 毫欧 @ 48A,10V13 毫欧 @ 500mA,10V22 毫欧 @ 24A,15V22 毫欧 @ 47A,10V22 毫欧 @ 58.2A,10V24 毫欧 @ 48A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.69V @ 12mA3V @ 250µA3.5V @ 24mA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 267µA4V @ 270µA4.5V @ 2.91mA5V @ 1mA5V @ 250µA5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V44.8 nC @ 10 V87 nC @ 10 V99 nC @ 10 V110 nC @ 10 V114 nC @ 10 V144 nC @ 10 V145 nC @ 10 V152 nC @ 15 V155 nC @ 15 V164 nC @ 8 V180 nC @ 10 V203 nC @ 10 V234 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+15V,-5V±15V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2479 pF @ 30 V2695 pF @ 50 V3500 pF @ 25 V3901 pF @ 800 V4800 pF @ 25 V4880 pF @ 400 V5150 pF @ 50 V5392 pF @ 10 V5800 pF @ 25 V5850 pF @ 25 V6100 pF @ 25 V7000 pF @ 100 V9915 pF @ 50 V11659 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
1.95W2.7W(Ta),70.6W(Tc)110W(Tc)136W(Tc)188W(Tc)250W(Tc)298W(Tc)312W(Tj)313W(Tc)375W(Tc)446W(Tc)459W(Tc)480W(Tc)600W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
D2PAKMAX247™PG-HSOF-8-1PG-TO247-3PG-TO247-3-31PLUS220PowerDI5060-8(UX 类)TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247TO-247-4L
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-220-3TO-220-3(SMT)标片TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AATO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
37结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 37
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IXTP96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
Littelfuse Inc.
7,818
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
85 V
96A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 48A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Littelfuse Inc.
3,798
现货
1 : ¥51.39000
剪切带(CT)
800 : ¥32.40753
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
85 V
96A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 48A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Littelfuse Inc.
102
现货
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
85 V
96A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 48A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
x-xSOF-8-1
IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Infineon Technologies
6,198
现货
1 : ¥72.90000
剪切带(CT)
2,000 : ¥38.72731
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
96A(Tc)
10V
11.1 毫欧 @ 96A,10V
4V @ 267µA
87 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 100 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO247
Littelfuse Inc.
269
现货
1 : ¥78.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-220-3
FDP085N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
onsemi
1,033
现货
1,600
工厂
1 : ¥22.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
96A(Tc)
10V
8.5 毫欧 @ 96A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2695 pF @ 50 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRF250P224
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Infineon Technologies
257
现货
1 : ¥81.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
96A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9915 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
IPW65R022CFD7AXKSA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Infineon Technologies
131
现货
1 : ¥181.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
96A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 58.2A,10V
4.5V @ 2.91mA
234 nC @ 10 V
±20V
11659 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO247
Littelfuse Inc.
300
现货
420
工厂
1 : ¥64.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
85 V
96A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Littelfuse Inc.
141
现货
1 : ¥66.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXFT96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Littelfuse Inc.
240
现货
1 : ¥88.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 4mA
145 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
238
现货
1 : ¥187.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
96A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 24A,15V
3.5V @ 24mA
152 nC @ 15 V
+15V,-5V
4880 pF @ 400 V
-
312W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
238
现货
1 : ¥187.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
96A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 24A,15V
3.5V @ 24mA
152 nC @ 15 V
+15V,-5V
4880 pF @ 400 V
-
312W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
240
现货
1 : ¥224.69000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
96A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 24A,15V
3.5V @ 24mA
152 nC @ 15 V
+15V,-5V
4880 pF @ 400 V
-
312W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
229
现货
1 : ¥224.69000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
96A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 24A,15V
3.5V @ 24mA
152 nC @ 15 V
+15V,-5V
4880 pF @ 400 V
-
312W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-3 Max EP
STY112N65M5
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
STMicroelectronics
600
现货
1 : ¥297.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
96A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 47A,10V
5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±25V
16870 pF @ 100 V
-
625W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
MAX247™
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO247AD
IXYS
29
现货
1 : ¥79.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 4mA
145 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
GA20JT12-263
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
18
现货
1 : ¥187.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
96A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
459W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥74.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
IPWS65R022CFD7AXKSA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥173.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
96A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 58.2A,10V
4.5V @ 2.91mA
234 nC @ 10 V
±30V
11659 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-31
TO-247-3
PowerDI5060 UX
DMPH16M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Diodes Incorporated
0
现货
5,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.66554
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
96A(Tc)
2.5V,4.5V
6 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
164 nC @ 8 V
±8V
5392 pF @ 10 V
-
1.95W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMT63M6LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥4.36780
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
96A(Tc)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
44.8 nC @ 10 V
±20V
2479 pF @ 30 V
-
2.7W(Ta),70.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
TO-262-3
IRFSL4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO262
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥19.22300
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
96A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
200 : ¥24.07350
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
96A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SUD50N06-07L-GE3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
96A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
144 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 37

96A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。