93A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SQM100P10-19L_GE3 MOSFET P-CH 100V 93A TO263 Vishay Siliconix	2,962 现货	1 : ¥27.09000 剪切带（CT） 800 : ¥16.37324 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	93A（Tc）	4.5V，10V	19 毫欧 @ 30A，10V	2.5V @ 250µA	350 nC @ 10 V	±20V	14100 pF @ 25 V	-	375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TP65H015G5WS 650 V 95 A GAN FET Transphorm	673 现货	1 : ¥264.83000 管件	SuperGaN™	管件	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	93A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 60A，10V	4.8V @ 2mA	100 nC @ 10 V	±20V	5218 pF @ 400 V	-	266W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
SCT3022ALGC11 SICFET N-CH 650V 93A TO247N Rohm Semiconductor	1,492 现货	1 : ¥418.51000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	93A（Tc）	18V	28.6 毫欧 @ 36A，18V	5.6V @ 18.2mA	133 nC @ 18 V	+22V，-4V	2208 pF @ 500 V	-	339W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247N	TO-247-3
IRFP4768PBF MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Infineon Technologies	2,616 现货	1 : ¥58.45000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	93A（Tc）	10V	17.5 毫欧 @ 56A，10V	5V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	10880 pF @ 50 V	-	520W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SCT3022ALHRC11 SICFET N-CH 650V 93A TO247N Rohm Semiconductor	2,246 现货	1 : ¥575.64000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	93A（Tc）	18V	28.6 毫欧 @ 36A，18V	5.6V @ 18.2mA	133 nC @ 18 V	+22V，-4V	2208 pF @ 500 V	-	339W	175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247N	TO-247-3
IRFP4768PBFXKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	400 现货	1 : ¥58.45000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	93A（Tc）	10V	17.5 毫欧 @ 56A，10V	5V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	10880 pF @ 50 V	-	520W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-901	TO-247-3
XP6NA2R4IT MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM YAGEO XSEMI	1,000 现货	1 : ¥71.66000 管件	XP6NA2R4	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	93A（Tc）	10V	2.4 毫欧 @ 40A，10V	4V @ 250µA	192 nC @ 10 V	±20V	11600 pF @ 50 V	-	1.92W（Ta），34.7W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220CFM	TO-220-3 整包
IRFR3711ZTRPBF MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	5,079 现货	1 : ¥10.10000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.17515 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
APT40M35JVR MOSFET N-CH 400V 93A SOT227 Microchip Technology	7 现货	1 : ¥575.89000 管件	POWER MOS V®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	93A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 46.5A，10V	4V @ 5mA	1065 nC @ 10 V	±30V	20160 pF @ 25 V	-	700W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227（ISOTOP®）	SOT-227-4，miniBLOC
IMW65R015M2HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥192.19000 管件	CoolSiC™ Gen 2	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	650 V	93A（Tc）	15V，20V	13.2 毫欧 @ 64.2A，20V	5.6V @ 13mA	79 nC @ 18 V	+23V，-7V	2792 pF @ 400 V	-	341W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-40	TO-247-3
IRFR3711ZTRRPBF MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	3,000 : ¥3.21426 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR3711ZTR MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	2,000 : ¥9.18602 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR3711ZTRL MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	3,000 : ¥9.18601 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR3711ZTRR MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	3,000 : ¥9.18601 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
APT40M35JVFR MOSFET N-CH 400V 93A ISOTOP Microsemi Corporation	0 现货	10 : ¥487.29000 管件	POWER MOS V®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	93A（Tc）	10V	35 毫欧 @ 46.5A，10V	4V @ 5mA	1065 nC @ 10 V	±30V	20160 pF @ 25 V	-	700W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC
IRFR3711Z MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFU3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 93A IPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	4.5V，10V	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	±20V	2160 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR3711ZCTRPBF MOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies	0 现货	停产	-	剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	93A（Tc）	-	5.7 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 nC @ 4.5 V	-	2160 pF @ 10 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SUD50N06-08H-E3 MOSFET N-CH 60V 93A TO252 Vishay Siliconix	0 现货	在售	TrenchFET®	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	93A（Tc）	10V	7.8 毫欧 @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	145 nC @ 10 V	±20V	7000 pF @ 25 V	-	3W（Ta），136W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63