9.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V4.5V,20V10V10V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 10A,10V12 毫欧 @ 9.2A,4.5V13 毫欧 @ 11.3A,10V13 毫欧 @ 11.7A,10V13.3 毫欧 @ 9.2A,20V16 毫欧 @ 10A,10V16 毫欧 @ 3.6A,4.5V18 毫欧 @ 10A,10V19.4 毫欧 @ 9.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 200µA1.5V @ 250µA2.2V @ 140µA2.4V @ 25µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V18.9 nC @ 30 V38 nC @ 10 V50 nC @ 10 V81 nC @ 10 V96 nC @ 4.5 V113 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
864 pF @ 30 V1103 pF @ 30 V1110 pF @ 25 V2115 pF @ 20 V3520 pF @ 25 V4748 pF @ 10 V5878 pF @ 10 V5880 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta)1.3W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.56W(Ta)2.5W(Ta)
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-TSSOPPG-DSO-8U-DFN2523-6
封装/外壳
6-PowerUDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,206
现货
557,500
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.68771
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9393TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
10,999
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.91881
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
10V,20V
13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2523-6
DMP2018LFK-7
MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
24,741
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24867
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.2A(Ta)
1.5V,4.5V
16 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.2V @ 200µA
113 nC @ 10 V
±12V
4748 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2523-6
6-PowerUDFN
8 SO
DMT6017LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
3,781
现货
7,500
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.98496
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMT6015LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
9,940
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.23311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
18.9 nC @ 30 V
±16V
1103 pF @ 30 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Infineon Technologies
2,471
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.32905
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
10V
13 毫欧 @ 11.7A,10V
2.2V @ 140µA
81 nC @ 10 V
±25V
3520 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
查看交期
4,000 : ¥2.02164
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
4.5V,20V
13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2115 pF @ 20 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
19.4 毫欧 @ 9.2A,10V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-TSSOP
FDW254P
MOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.2A(Ta)
1.8V,4.5V
12 毫欧 @ 9.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
96 nC @ 4.5 V
±8V
5878 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
FDW254PZ
MOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.2A(Ta)
1.8V,4.5V
12 毫欧 @ 9.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
96 nC @ 4.5 V
±8V
5880 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
BSO130P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
10V
13 毫欧 @ 11.3A,10V
2.2V @ 140µA
81 nC @ 10 V
±25V
3520 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9333PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
4.5V,10V
19.4 毫欧 @ 9.2A,10V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9393PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.2A(Ta)
10V,20V
13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
2.4V @ 25µA
38 nC @ 10 V
±25V
1110 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 14

9.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。