8A（Ta），50A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.5 毫欧 @ 20A，10V22 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2110 pF @ 75 V3369 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta），107W（Tc）3.1W（Ta），132W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI5060-8（UX 类）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI5060 UX
DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
3,528
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
17.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD86250
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
onsemi
3,186
现货
1 : ¥18.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.29000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
22 毫欧 @ 8A，10V
4V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 75 V
-
3.1W（Ta），132W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerDI5060 UX
DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Diodes Incorporated
2,500
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.17586
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
17.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3369 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
PowerDI5060-8（UX 类）
8-PowerTDFN
显示
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8A（Ta），50A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。