87A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 41
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-CoolSiC™ Gen 2EHEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™5StrongIRFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V75 V150 V250 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,8V6V,10V8V,10V10V15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.9毫欧 @ 87A,10V3 毫欧 @ 20A,10V3.7 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 30A,10V6.3 毫欧 @ 21A,10V7 毫欧 @ 20A,10V7.2 毫欧 @ 52A,10V7.3 毫欧 @ 52A,10V8.1 毫欧 @ 14A,10V8.7 毫欧 @ 20A,10V8.8 毫欧 @ 14A,8V9.1mOhm @ 42A, 10V9.2 毫欧 @ 52A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 36µA3.7V @ 100µA4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 8mA4.6V @ 107µA4.6V @ 250µA5.1V @ 10.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.3 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V37.5 nC @ 10 V39 nC @ 15 V40 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V41 nC @ 10 V44.4 nC @ 10 V46 nC @ 10 V54 nC @ 10 V71 nC @ 18 V74 nC @ 10 V122 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V+23V,-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
695 pF @ 15 V1600 pF @ 25 V2130 pF @ 15 V2130 pF @ 30 V2150 pF @ 25 V2330 pF @ 800 V2387 pF @ 15 V2486 pF @ 15 V2808 pF @ 75 V3159 pF @ 25 V3213 pF @ 20 V3230 pF @ 75 V4430 pF @ 25 V4650 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)2.25W(Ta)3W(Ta)3.1W(Ta),89.3W(Tc)3.6W(Ta),55W(Tc)38W(Tc)41.67W (Tc)55W(Tc)79W(Tc)139W(Tc)140W(Tc)142W(Tc)143W(Tc)147W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PPAK(5.1x5.86)8-VSONP(5x6)D2PAKIPAK(TO-251AA)ISOPLUS247™LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-7PG-TO220 整包PG-TO252-3PG-TO263-7-12PowerDI3333-8(SWP)UX 类PowerDI3333-8(UX 类)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNSC-100,SOT-669TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-274AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
41结果
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/ 41
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
5,529
现货
1 : ¥30.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.40842
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
87A(Tc)
8V,10V
9.3 毫欧 @ 44A,10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C456NLT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
onsemi
2,994
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.25818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
87A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
469
现货
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
87A(Tc)
6V,10V
2.9毫欧 @ 87A,10V
3.3V @ 36µA
74 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 30 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
2,371
现货
1 : ¥35.05000
剪切带(CT)
4,000 : ¥17.04829
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
87A(Tc)
8V,10V
9.3 毫欧 @ 44A,10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
888
现货
1 : ¥180.61000
剪切带(CT)
1,000 : ¥117.90724
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
87A(Tc)
15V,18V
21.6 毫欧 @ 32.1A,18V
5.1V @ 10.1mA
71 nC @ 18 V
+23V,-10V
2330 pF @ 800 V
-
385W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-Power TDFN
CSD17522Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Texas Instruments
13,186
现货
1 : ¥9.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.59579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 14A,10V
2V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±20V
695 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
SIHS36N50D-GE3
SIHS90N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Vishay Siliconix
233
现货
1 : ¥162.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
87A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
591 nC @ 10 V
±30V
11826 pF @ 100 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
SUPER-247™(TO-274AA)
TO-274AA
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN39M1LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Diodes Incorporated
1,880
现货
546,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.86090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2387 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y8R7-60EX
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,353
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.70445
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
87A(Tc)
10V
8.7 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
46 nC @ 10 V
±20V
3159 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS5C456NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 87A 5DFN
onsemi
1,150
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.42852
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
87A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
8-Power TDFN
CSD17322Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Texas Instruments
12,500
现货
2,500 : ¥3.22217
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,8V
8.8 毫欧 @ 14A,8V
2V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±10V
695 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3709ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Infineon Technologies
1,654
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
800 : ¥7.33156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
FGPF70N30
IRFB7740PBF
MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB
Infineon Technologies
65
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
87A(Tc)
6V,10V
7.3 毫欧 @ 52A,10V
3.7V @ 100µA
122 nC @ 10 V
±20V
4650 pF @ 25 V
-
143W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C456NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 87A 5DFN
onsemi
6
现货
6,000
工厂
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.84812
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
87A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN39M1LFVW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.96065
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2387 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT43M8LFV-13
MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.87584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
87A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
44.4 nC @ 10 V
±20V
3213 pF @ 20 V
-
2.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT43M8LFV-7
MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥2.87586
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
87A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
44.4 nC @ 10 V
±20V
3213 pF @ 20 V
-
2.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
TO-252 D-Pak Top
DMT67M8LK3-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
7,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥2.92312
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
87A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
37.5 nC @ 10 V
±20V
2130 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),89.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
2,500 : ¥4.72330
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
39 nC @ 15 V
±20V
2486 pF @ 15 V
-
41.67W (Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
GSFPR8504
GSGP9R115
MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Good-Ark Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.47396
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
87A(Tc)
10V
9.1mOhm @ 42A, 10V
4.6V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2808 pF @ 75 V
-
142W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PPAK(5.1x5.86)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3709ZS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-262-3
IRF3709ZCL
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-262-3
IRF3709ZL
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3709ZCS
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3709ZCSTRL
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
87A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 21A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2130 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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87A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。