8.3A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

STW11NK100Z MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3 STMicroelectronics	541 现货	1 : ¥52.63000 管件	SuperMESH™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1000 V	8.3A（Tc）	10V	1.38 欧姆 @ 4.15A，10V	4.5V @ 100µA	162 nC @ 10 V	±30V	3500 pF @ 25 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
2SK4097LS MOSFET N-CH 500V 8.3A TO220FI onsemi	334 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8.3A（Tc）	-	650 毫欧 @ 5A，10V	-	30 nC @ 10 V	-	750 pF @ 30 V	-	2W（Ta），35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FI（LS）	TO-220-3 整包
2SK4097LS MOSFET N-CH 500V 9.5A TO220FI Sanyo	213 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8.3A（Tc）	-	650 毫欧 @ 5A，10V	5V @ 1mA	30 nC @ 10 V	±30V	750 pF @ 30 V	-	2W（Ta），35W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220FI（LS）	TO-220-3 整包
DMN15H310SK3-13 MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 Diodes Incorporated	0 现货 225,000 工厂查看交期	1 : ¥4.93000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.86102 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	8.3A（Tc）	4V，10V	310 毫欧 @ 1.5A，10V	3V @ 250µA	8.7 nC @ 10 V	±20V	405 pF @ 25 V	-	32W（Ta）	-55°C ~ 155°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPL65R460CFDAUMA1 MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	8.3A（Tc）	10V	460 毫欧 @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 nC @ 10 V	±20V	870 pF @ 100 V	-	83.3W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-VSON-4	4-PowerTSFN