760mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
功率耗散（最大值）
301mW（Tj）313mW（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-
供应商器件封装
SC-75，SOT-416SC-89-3
封装/外壳
SC-75，SOT-416SC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
83,158
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
175,540
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61447
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SC−75-3_463
NTA4151PT1H
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
53,929
现货
90,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52168
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW（Tj）
-
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SC−75-3_463
NTA4151PT1
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
0
现货
6,000 : ¥0.99497
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
显示
/ 4

760mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。