75mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V450 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 欧姆 @ 150mA,10V150 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA4.5V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V120 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)2W(Ta)
供应商器件封装
SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVP3310FTA
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Diodes Incorporated
9,521
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34905
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
75mA(Ta)
10V
20 欧姆 @ 150mA,10V
3.5V @ 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP0545GTA
MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
Diodes Incorporated
4,843
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.18141
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
75mA(Ta)
10V
150 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 1mA
±20V
120 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
ZVP3310FTC
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
10,000 : ¥1.91752
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
75mA(Ta)
10V
20 欧姆 @ 150mA,10V
3.5V @ 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP0545GTC
MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
4,000 : ¥3.40687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
75mA(Ta)
10V
150 欧姆 @ 50mA,10V
4.5V @ 1mA
±20V
120 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
显示
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75mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。