700mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 29
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorTorex Semiconductor LtdToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™HEXFET®U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V45 V100 V150 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.2V,5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 700mA,4,5V250 毫欧 @ 400mA,10V275 毫欧 @ 400mA,4.5V290 毫欧 @ 1.4A,4.5V300 毫欧 @ 1.4A,4.5V300 毫欧 @ 400mA,4.5V325 毫欧 @ 700mA,4.5V350 毫欧 @ 600mA,4.5V380 毫欧 @ 500mA,4.5V470 毫欧 @ 700mA,4.5V500 毫欧 @ 500mA,4.5V600 毫欧 @ 300mA,4.5V700 毫欧 @ 1.5A,10V710 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA2.6V @ 1mA3V @ 1mA3.9V @ 135µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.85 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.5 V1.44 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V2.2 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
46.1 pF @ 10 V48 pF @ 10 V50 pF @ 10 V51 pF @ 10 V60 pF @ 10 V62.5 pF @ 10 V83 pF @ 10 V92 pF @ 10 V100 pF @ 10 V105 pF @ 15 V114 pF @ 10 V120 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
250mW(Ta),770mW(Tc)280mW(Tj)300mW(Ta)350mW(Ta)400mW(Ta)460mW(Ta)500mW(Ta)625mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1.3W(Ta)1.8W(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH3-DFN(1.0 x 0.60)4-HVMDIP8-SOCST3CDFN1006-3PG-SOT223-4SC-59-3SC-70-3SC-70-3(SOT323)SC-75SOT-23SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFN4-DIP(0.300",7.62mm)6-SMD(5引线),扁引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SOT-523TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
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/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN10A07FTA
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Diodes Incorporated
26,840
现货
606,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-59-3
DMP3030SN-7
MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Diodes Incorporated
104,281
现货
984,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
700mA(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 400mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Diodes Incorporated
158,698
现货
280,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.47095
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.2V,5V
970 毫欧 @ 100mA,5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
DFN1006-3
RV2C014BCT2CL
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Rohm Semiconductor
7,770
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.82085
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.8V,4.5V
300 毫欧 @ 1.4A,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
400mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006-3
3-XFDFN
SC-70-3
NTS4409NT1G
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
onsemi
64,962
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90962
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
700mA(Ta)
2.7V,4.5V
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMN10H700S-7
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Diodes Incorporated
17,518
现货
777,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63053
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 50 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
4-DIP
IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Vishay Siliconix
2,875
现货
1 : ¥12.89000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
10V
1.2 欧姆 @ 420mA,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
26,774
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.47204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.2V,4.5V
500 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
48 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
CST3C
SC-101,SOT-883
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE8402_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
15,105
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.77474
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 700mA,4,5V
1V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
92 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SC-70-3
NVS4409NT1G
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
onsemi
8,414
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
700mA(Ta)
2.7V,4.5V
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
BAS40xW-Ax1XX
PJC7403_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,475
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77474
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.8V,4.5V
325 毫欧 @ 700mA,4.5V
1V @ 250µA
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
165 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Diodes Incorporated
9,488
现货
1,410,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.52137
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 50 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DFN1006-3
RV2E014AJT2CL
NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Rohm Semiconductor
7,934
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.14381
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
700mA(Ta)
2.5V,4.5V
290 毫欧 @ 1.4A,4.5V
1.5V @ 1mA
-
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006-3
3-XFDFN
TUMT5_TUMT5 Pkg
US5U35TR
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Rohm Semiconductor
2,985
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
700mA(Ta)
4V,10V
800 毫欧 @ 700mA,10V
2.5V @ 1mA
1.7 nC @ 5 V
±20V
120 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TUMT5
6-SMD(5引线),扁引线
SOT-23
XP152A11E5MR-G
MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
100
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
700mA(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 400mA,10V
-
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23
XP152A12C0MR-G
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
100
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.06769
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
2.5V,4.5V
300 毫欧 @ 400mA,4.5V
1.2V @ 1mA
-
±12V
180 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-DFN
AON1605
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.50412
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.5V,4.5V
710 毫欧 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-DFN(1.0 x 0.60)
3-UFDFN
3-DFN
AON1606
MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.53065
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.5V,4.5V
275 毫欧 @ 400mA,4.5V
1V @ 250µA
0.85 nC @ 4.5 V
±8V
62.5 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-DFN(1.0 x 0.60)
3-UFDFN
DFN1006-3
PJQ1917_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
10,000 : ¥0.64914
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
1.2V,4.5V
600 毫欧 @ 300mA,4.5V
1V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±8V
51 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006-3
3-UFDFN
SOT-23-3
ZXMN10A07FTC
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
10,000 : ¥1.06711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23
XP152A12C0MR
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
0
现货
3,000 : ¥2.06769
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
700mA(Ta)
2.5V,4.5V
300 毫欧 @ 400mA,4.5V
-
-
±12V
180 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
SPN03N60C3
MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥3.84961
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
700mA(Ta)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
3.9V @ 135µA
17 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
SPN03N60S5
MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥4.27526
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
700mA(Ta)
10V
1.4 欧姆 @ 2A,10V
5.5V @ 135µA
12.8 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
4-DIP
IRFD9110
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
10V
1.2 欧姆 @ 420mA,10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
IRF6217TRPBF
MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
700mA(Ta)
10V
2.4 欧姆 @ 420mA,10V
5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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700mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。