7.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V60 V200 V600 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 5A,4.5V35 毫欧 @ 6A,10V36 毫欧 @ 6.3A,4.5V105 毫欧 @ 4.5A,10V280 毫欧 @ 3.9A,10V360 毫欧 @ 3.9A,10V700 毫欧 @ 3.9A,10V1.2 欧姆 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V17.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 8 V54 nC @ 10 V200 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
370 pF @ 15 V460 pF @ 15 V485 pF @ 10 V510 pF @ 25 V525 pF @ 10 V600 pF @ 25 V910 pF @ 6 V969 pF @ 30 V1900 pF @ 25 V3100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.2W(Ta)2W(Ta),3W(Tc)2.5W(Ta),32W(Tc)4W(Tc)13.6W(Tc)50W(Tc)100W(Tc)190W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOICIPAKPowerPAK® SC-70-6 单PowerPAK® SC-70-6 双TO-247ACTO-252AATO-3PF
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6 双SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
7,226
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.90580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.8A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
485 pF @ 10 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
TO-247-3 AC EP
IRFPE50PBF
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Vishay Siliconix
283
现货
1 : ¥38.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7.8A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 4.7A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
PowerPAK-SC-70W-6L-Single_Top
SQA410CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,903
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15205
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.8A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
525 pF @ 10 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
TSOP-6-Single
SQ3456CEV-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,325
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.8A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 15 V
-
4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8 SOIC
DMP6110SSDQ-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Diodes Incorporated
5,705
现货
262,500
工厂
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.06412
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.8A(Tc)
4.5V,10V
105 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
I-PAK
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
onsemi
600
现货
1 : ¥7.63000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7.8A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
Pkg 5540
SI3447CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.8A(Tc)
4.5V
36 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
910 pF @ 6 V
-
2W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-252AA
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
onsemi
0
现货
2,000 : ¥3.27085
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7.8A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
Pkg 5540
SI3447CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.8A(Tc)
1.8V,4.5V
36 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
910 pF @ 6 V
-
2W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Pkg 5540
SQ3456BEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Vishay Siliconix
7
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.8A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 15 V
-
4W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-247-3 AC EP
IRFPE50
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
7.8A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 4.7A,10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252AA
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7.8A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220F
FQAF12N60
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7.8A(Tc)
10V
700 毫欧 @ 3.9A,10V
5V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±30V
1900 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-252AA
FQD10N20CTM_F080
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7.8A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
510 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
SFR9024TM
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.8A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),32W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 15

7.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。