7.7A（Ta）单 FET，MOSFET

显示

/ 13

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

PMPB17EPX P-CHANNEL TRENCH MOSFET Nexperia USA Inc.	6,393 现货	1 : ¥3.28000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.11291 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	21 毫欧 @ 5.8A，10V	2.5V @ 250µA	47 nC @ 10 V	±20V	1570 pF @ 15 V	-	1.9W（Ta），13W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN2020M-6	6-UDFN 裸露焊盘
DMP6023LFGQ-7 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Diodes Incorporated	4,439 现货 252,000 工厂	1 : ¥6.16000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.32645 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 155°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP6023LFGQ-13 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Diodes Incorporated	1,579 现货 2,307,000 工厂	1 : ¥6.49000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.47175 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 155°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP6023LFG-7 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Diodes Incorporated	9,315 现货	1 : ¥7.47000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.85341 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
DMP6023LFG-13 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Diodes Incorporated	3,235 现货 30,000 工厂	1 : ¥7.47000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.85340 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 5A，10V	3V @ 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN
SI8851EDB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥4.93000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.86681 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	7.7A（Ta）	1.8V，4.5V	8 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	180 nC @ 8 V	±8V	6900 pF @ 10 V	-	660mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	Power Micro Foot®（2.4x2）	30-XFBGA
FDD3580 MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK onsemi	0 现货	2,500 : ¥3.96124 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	7.7A（Ta）	6V，10V	29 毫欧 @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	49 nC @ 10 V	±20V	1760 pF @ 40 V	-	3.8W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
AO4724 MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	停产	SRFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	17.5 毫欧 @ 10.5A，10V	2V @ 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	900 pF @ 15 V	肖特基二极管（体）	1.7W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRFI9530N MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220AB FP Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥13.36320 管件	HEXFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	7.7A（Ta）	-	300 毫欧 @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	38 nC @ 10 V	-	860 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	通孔	TO-220AB 整包	TO-220-3 整包
ZXMN6A09KTC MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3 Diodes Incorporated	0 现货 7,500 工厂	1 : ¥13.71000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.17546 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	40 毫欧 @ 7.3A，10V	3V @ 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	1426 pF @ 30 V	-	2.15W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTMFS4701NT1G MOSFET N-CH 30V 7.7A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	7.7A（Ta）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 20A，10V	3V @ 250µA	15 nC @ 4.5 V	±20V	1280 pF @ 24 V	-	900mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
NTTFS4C65NTAG MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN onsemi	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	-	-	-	7.7A（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	8-WDFN（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
NTTFS4C65NTWG MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN onsemi	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	-	-	-	7.7A（Ta）	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	8-WDFN（3.3x3.3）	8-PowerWDFN