7.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V80 V100 V400 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.5 毫欧 @ 10A,10V18 毫欧 @ 2A,4.5V20 毫欧 @ 7.5A,10V20 毫欧 @ 9A,10V21 毫欧 @ 7.6A,4.5V24 毫欧 @ 10A,10V27 毫欧 @ 7A,4.5V29 毫欧 @ 7.6A,10V550 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.3V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.9 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 5 V16 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24 nC @ 4.5 V24.5 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V41 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±8V±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
393 pF @ 15 V457 pF @ 6 V760 pF @ 20 V850 pF @ 25 V1275 pF @ 10 V1650 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1837 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
730mW(Ta)1W(Ta)1.7W(Ta)1.8W(Ta),12.5W(Tc)1.9W(Ta)2.5W(Ta)3.2W(Ta)3.2W(Ta),22W(Tc)32W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-WDFN(3.3x3.3)DFN2020M-6PowerPAK® SO-8TO-220FLU-DFN1616-6U-DFN2020-6(F 类)U-WLB1515-9
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘6-UFDFN 裸露焊盘8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)9-UFBGA,WLBGAPowerPAK® SO-8TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7852DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,798
现货
1 : ¥19.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.90260
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7.6A(Ta)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA(最小)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7852DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,708
现货
1 : ¥23.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.33771
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7.6A(Ta)
6V,10V
16.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA(最小)
41 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,738
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.28541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7.6A(Ta)
6V,10V
29 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMP2023UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Diodes Incorporated
9,434
现货
360,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10904
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.6A(Ta)
1.5V,4.5V
27 毫欧 @ 7A,4.5V
1V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±8V
1837 pF @ 15 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB19R0UPEX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Nexperia USA Inc.
2,187
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.6A(Ta)
1.5V,4.5V
21 毫欧 @ 7.6A,4.5V
900mV @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±10V
1275 pF @ 10 V
-
1.8W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-WDFN
NVTFS5826NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),22W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-SOIC
FDS8449
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.11965
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 7.6A,10V
3V @ 250µA
11 nC @ 5 V
±20V
760 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DI4A7P06SQ2
DI7A6N10SQ
MOSFET SO8 N 100V 0.02OHM 150C
Diotec Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.36778
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.6A(Ta)
6V,10V
20 毫欧 @ 7.5A,10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
DMT3020LFCL-7
MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.23277
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
393 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN1616-6
6-UFDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP2023UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
230,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥1.85003
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.6A(Ta)
1.5V,4.5V
27 毫欧 @ 7A,4.5V
1V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±8V
1837 pF @ 15 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
8-SOIC
FDS8449-F085
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 7.6A,10V
3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
7.6A(Ta)
10V
550 毫欧 @ 7A,10V
-
24.5 nC @ 10 V
±30V
850 pF @ 25 V
-
32W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FL
TO-220-3 整包
8-WDFN
NVTFS5826NLWFTWG
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
onsemi
0
现货
最后售卖
-
卷带(TR)
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta),22W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
DMP1018UCB9-7
MOSFET P-CH 12V 7.6A U-WLB1515-9
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.6A(Ta)
2.5V,4.5V
18 毫欧 @ 2A,4.5V
1.3V @ 250µA
4.9 nC @ 4.5 V
-6V
457 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-WLB1515-9
9-UFBGA,WLBGA
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
NVTFS5826NLWFTWG-UM
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN
onsemi
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7.6A(Ta)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
850 pF @ 25 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
显示
/ 15

7.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。