7.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-Automotive, AEC-Q101NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V65 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.9 毫欧 @ 1A,4.5V10 毫欧 @ 12A,10V16 毫欧 @ 3A,10V18 毫欧 @ 11.7A,10V18 毫欧 @ 9.6A,10V20 毫欧 @ 9.1A,10V21 毫欧 @ 1.8A,4.5V21 毫欧 @ 7.4A,10V22 毫欧 @ 7.4A,4.5V23 毫欧 @ 20A,10V25 毫欧 @ 7.4A,10V26 毫欧 @ 5A,4.5V27 毫欧 @ 7.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.1 nC @ 4 V6.8 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V14.4 nC @ 10 V16.5 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V21.4 nC @ 10 V22 nC @ 10 V37 nC @ 5 V37.6 nC @ 10 V54 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±8V±10V±12V+20V,-12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
409 pF @ 10 V513 pF @ 10 V588 pF @ 15 V1078 pF @ 24 V1098 pF @ 15 V1300 pF @ 30 V1390 pF @ 4 V1544 pF @ 50 V1620 pF @ 15 V1790 pF @ 20 V2330 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
600mW(Ta)690mW820mW(Ta),8.33W(Tc)850mW(Ta)1.4W(Ta)1.47W(Tc)1.5W(Ta)1.56W(Ta)2W(Ta)2.5W(Ta)-
供应商器件封装
4-PICOSTAR8-SO8-SOIC8-SOP-PG-DSO-8PowerPAK® 1212-8SC-73SOT-223SOT-23-6X2-TSN0808-4
封装/外壳
4-XFDFN4-XFLGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-PowerPAK® 1212-8SOT-23-6TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4-PICOSTAR
CSD22205L
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Texas Instruments
8,236
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
7.4A(Ta)
1.5V,4.5V
9.9 毫欧 @ 1A,4.5V
1.05V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
-6V
1390 pF @ 4 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-PICOSTAR
4-XFLGA
8 SO
DMT10H025SSS-13
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Diodes Incorporated
4,485
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.92364
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7.4A(Ta)
6V,10V
23 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
21.4 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7423DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,557
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20654
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 11.7A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
4-PICOSTAR
CSD22205LT
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Texas Instruments
30,295
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
250 : ¥3.94040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
7.4A(Ta)
1.5V,4.5V
9.9 毫欧 @ 1A,4.5V
1.05V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
-6V
1390 pF @ 4 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-PICOSTAR
4-XFLGA
SOT-23-6
PJS6421-AU_S1_000A1
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,084
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10075
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.4A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
16.5 nC @ 4.5 V
±10V
1620 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
GSFQ1504
GSGQ6988
MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.4A, 65V,
Good-Ark Semiconductor
5,865
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28526
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
65 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
+20V,-12V
1300 pF @ 30 V
-
1.47W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-6
PJS6421_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,367
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.4A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
16.5 nC @ 4.5 V
±10V
1620 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
8 SOIC
NTMS4705NR2G
MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC
onsemi
0
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.24504
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±20V
1078 pF @ 24 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK 1212-8
SI7423DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
2,465
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.20654
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 11.7A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
X2-TSN0808-4
DMN1021UCA4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN0808-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.81940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.4A(Ta)
1.8V,4.5V
21 毫欧 @ 1.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.1 nC @ 4 V
±8V
409 pF @ 10 V
-
690mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-TSN0808-4
4-XFDFN
SOT-23-6
PJS6416_S1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
3,000 : ¥0.88762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.4A(Ta)
1.8V,4.5V
27 毫欧 @ 7.4A,4.5V
1.2V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
513 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT223
PMT21EN,115
MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.4A,10V
2.5V @ 250µA
14.4 nC @ 10 V
±20V
588 pF @ 15 V
-
820mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Infineon Technologies
0
现货
2,500 : ¥3.94678
卷带(TR)
卷带(TR)
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
10V
20 毫欧 @ 9.1A,10V
1.5V @ 100µA
54 nC @ 10 V
±25V
2330 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
NDS8425
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.4A(Ta)
2.7V,4.5V
22 毫欧 @ 7.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1098 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4835BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.98018
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 9.6A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 5 V
±25V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
BSO200P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
10V
20 毫欧 @ 9.1A,10V
1.5V @ 100µA
54 nC @ 10 V
±25V
2330 pF @ 25 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SC-73
PMT21EN,135
MOSFET N-CH 30V 7.4A SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.4A,10V
2.5V @ 250µA
14.4 nC @ 10 V
±20V
588 pF @ 15 V
-
820mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-73
TO-261-4,TO-261AA
8-SOIC
DMN4025LSD-13
MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
Diodes Incorporated
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.4A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 7.4A,10V
1.8V @ 250µA
37.6 nC @ 10 V
±20V
1790 pF @ 20 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
-
显示
/ 18

7.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。