6A(Ta),13A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 2
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRFHS9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Infineon Technologies
31,073
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.01142
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta),13A(Tc)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 7.8A,10V
2.4V @ 25µA
13 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
0
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Ta),13A(Tc)
-
37 毫欧 @ 7.8A,10V
2.4V @ 25µA
13 nC @ 10 V
-
580 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerVDFN
显示
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6A(Ta),13A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。