68A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 36
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™, PolarP2™MDmesh™ DM6MDmesh™ IIMDmesh™ II PlusMDmesh™ M2OptiMOS™TrenchMOS™TrenchP™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V75 V100 V120 V150 V200 V500 V600 V650 V1200 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V8V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V4.1 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 15A,10V7.2 毫欧 @ 15A,4.5V7.3 毫欧 @ 20A,10V7.9 毫欧 @ 10A,10V8m옴 @ 41A,10V12 毫欧 @ 34A,10V13.9 毫欧 @ 15A,10V15 毫欧 @ 20A,10V18.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
710mV @ 1A2V @ 1mA2.4V @ 72µA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA2.8V @ 17.5mA3V @ 250µA3.25V @ 2.5mA(典型值)3.6V @ 11.5mA3.6V @ 1mA3.7V @ 100µA4V @ 15mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 5 V17.2 nC @ 10 V26 nC @ 10 V34 nC @ 10 V37 nC @ 10 V48.2 nC @ 10 V51 nC @ 10 V54.5 nC @ 10 V59 nC @ 10 V79 nC @ 10 V104 nC @ 15 V110 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V+15V,-5V±15V+18V,-8V+20V,-5V±20V+22V,-10V+23V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1080 pF @ 15 V1362 pF @ 10 V1630 pF @ 25 V2057 pF @ 30 V2344 pF @ 75 V2790 pF @ 1000 V2908 pF @ 800 V3130 pF @ 800 V3175 pF @ 800 V3195 pF @ 50 V3280 pF @ 30 V3300 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta)25W(Tc)35.5W(Tc)36W(Tc)50W(Tc)62.5W(Tc)64W(Tc)65W(Tc)83W(Tc)114W(Tc)170W(Tc)195W(Tc)
工作温度
-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(5x6)8-QFN(5x6)D2PAKDFN5060-8LFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8PQFN(5x6)SOT-227BTO-220ABTO-220SISTO-247 长引线TO-247TO-247-3TO-247-4
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN-SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
36结果
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/ 36
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C3M0065090J
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,470
现货
1 : ¥297.18000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 41.4A,15V
3.6V @ 11.5mA
111 nC @ 15 V
+15V,-4V
3424 pF @ 1000 V
-
277W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4
MSC035SMA170B4
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Microchip Technology
246
现货
1 : ¥343.15000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
68A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
NTHL022N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
onsemi
281
现货
1 : ¥150.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 40A, 18V
4.4V @ 20mA
139 nC @ 18 V
+22V,-10V
3130 pF @ 800 V
-
352W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 68A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,745
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.69119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
68A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 15A,10V
3.6V @ 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1630 pF @ 25 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2PAK SOT404
PSMN013-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Nexperia USA Inc.
15,182
现货
1 : ¥14.20000
剪切带(CT)
800 : ¥7.94726
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
68A(Tc)
10V
13.9 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
59 nC @ 10 V
±20V
3195 pF @ 50 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW70N60M2
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STMicroelectronics
850
现货
1 : ¥88.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
68A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
5200 pF @ 100 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
226
现货
1 : ¥151.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 40A, 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V,-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
872
现货
1 : ¥415.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 40A, 18V
4.4V @ 20mA
151 nC @ 18 V
+22V,-10V
3175 pF @ 800 V
-
352W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
5,975
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.31938
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
68A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2057 pF @ 30 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8
BSC0303LSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Infineon Technologies
4,918
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.86901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
68A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 34A,10V
2.4V @ 72µA
51 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 60 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
240
现货
1 : ¥136.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 20A,15V
2.8V @ 17.5mA
104 nC @ 15 V
+15V,-5V
2908 pF @ 800 V
-
300W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
240
现货
1 : ¥136.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 20A,15V
2.8V @ 17.5mA
104 nC @ 15 V
+15V,-5V
2908 pF @ 800 V
-
300W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
240
现货
1 : ¥163.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 20A,15V
2.8V @ 17.5mA
104 nC @ 15 V
+18V,-8V
2908 pF @ 800 V
-
300W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
220
现货
1 : ¥163.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 20A,15V
2.8V @ 17.5mA
104 nC @ 15 V
+15V,-5V
2908 pF @ 800 V
-
300W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
C3M0065090J-TR
C3M0032120J1-TR
SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-263-
Wolfspeed, Inc.
800
现货
1 : ¥297.18000
剪切带(CT)
800 : ¥197.08426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
68A(Tc)
15V
43 毫欧 @ 41.4A,15V
3.6V @ 11.5mA
111 nC @ 15 V
+15V,-4V
3424 pF @ 1000 V
-
277W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
MSC035SMA170B
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥333.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
68A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-60°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-268
IXTT68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥163.37000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
68A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
380 nC @ 10 V
±15V
33400 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
19
现货
1 : ¥10.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
68A(Tc)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 15A,4.5V
2.5V @ 500µA
48.2 nC @ 10 V
±20V
3280 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
IXYK1x0xNxxxx
IXFN70N120SK
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥1,042.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
68A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
161 nC @ 20 V
+20V,-5V
2790 pF @ 1000 V
-
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247-4
STW70N65DM6-4
MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥112.71000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
68A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 34A,10V
4.75V @ 250µA
125 nC @ 10 V
±25V
4900 pF @ 100 V
-
450W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247
IXTH68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥148.59000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
68A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
380 nC @ 10 V
±15V
33400 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN94N50P2
MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥246.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
68A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 8mA
220 nC @ 10 V
±30V
13700 pF @ 25 V
-
780W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.68316
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
68A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
79 nC @ 10 V
±20V
3650 pF @ 15 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-QFN(5x6)
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
5,000 : ¥2.19951
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
68A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
79 nC @ 10 V
±20V
3650 pF @ 15 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-QFN(5x6)
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
2,500 : ¥5.60436
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
68A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
125 nC @ 10 V
±20V
7560 pF @ 20 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 36

68A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。