660mA 单 FET,MOSFET
结果 : 3
包装
产品状态
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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14,574 现货 | 1 : ¥3.28000 剪切带(CT) 8,000 : ¥0.50653 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 20 V | 660mA | 1.8V,4.5V | 850毫欧 @ 500mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.86 nC @ 4.5 V | ±12V | 40 pF @ 16 V | - | 150mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SOT-723 | SOT-723 | ||
0 现货 | 3,000 : ¥0.64562 卷带(TR) | - | 卷带(TR) | 不适用于新设计 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 20 V | 660mA | 1.8V,4.5V | 520 毫欧 @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | - | ±12V | 170 pF @ 16 V | - | 150mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SOT-523 | SOT-523 | ||
0 现货 | 停产 | - | 散装 | 停产 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 20 V | 660mA | 1.8V,4.5V | 520 毫欧 @ 1A,4.5V | 1.1V @ 250µA | - | ±12V | 175 pF @ 16 V | - | 200mW(Ta) | -55°C ~ 150°C | - | - | 表面贴装型 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 |
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