660mA 单 FET,MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
520 毫欧 @ 1A,4.5V850毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 16 V170 pF @ 16 V175 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
150mW200mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-323SOT-523SOT-723
封装/外壳
SC-70,SOT-323SOT-523SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 723
SI3139KA-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-723
Micro Commercial Co
14,574
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.50653
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA
1.8V,4.5V
850毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.86 nC @ 4.5 V
±12V
40 pF @ 16 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
0
现货
3,000 : ¥0.64562
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA
1.8V,4.5V
520 毫欧 @ 1A,4.5V
1.1V @ 250µA
-
±12V
170 pF @ 16 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT 323
SI3139KW-TP
MOSFET P-CHANNEL MOSFET
Micro Commercial Co
0
现货
停产
-
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA
1.8V,4.5V
520 毫欧 @ 1A,4.5V
1.1V @ 250µA
-
±12V
175 pF @ 16 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
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660mA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。