660mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
700 毫欧 @ 600mA，4.5V950 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1.1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±6V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 16 V170 pF @ 6 V
供应商器件封装
SOT-523SOT-723
封装/外壳
SOT-523SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 723
SI3139K-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Micro Commercial Co
11,562
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.64425
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
660mA（Tj）
4.5V
950 毫欧 @ 500mA，10V
800mV @ 250µA
±6V
170 pF @ 16 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT 523
SI3139KE-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT523
Micro Commercial Co
2,945
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60325
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
660mA（Tj）
4.5V
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
±12V
170 pF @ 6 V
-
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
/ 2

660mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。