61.8A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TK62N60X,S1F MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	132 现货	1 : ¥86.29000 管件	DTMOSIV-H	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	61.8A（Ta）	10V	40 毫欧 @ 21A，10V	3.5V @ 3.1mA	135 nC @ 10 V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-247	TO-247-3
TK62N60W,S1VF MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	30 现货	1 : ¥125.61000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	61.8A（Ta）	10V	40 毫欧 @ 30.9A，10V	3.7V @ 3.1mA	180 nC @ 10 V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-247	TO-247-3
TK62Z60X,S1F X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	22 现货	1 : ¥133.82000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	61.8A（Ta）	10V	40 毫欧 @ 21A，10V	3.5V @ 3.1mA	135 nC @ 10 V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（Tc）	150°C	通孔	TO-247-4L（T）	TO-247-4
TK62N60W5,S1VF PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Toshiba Semiconductor and Storage	37 现货	1 : ¥87.19000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	61.8A（Ta）	10V	45 毫欧 @ 30.9A，10V	4.5V @ 3.1mA	205 nC @ 10 V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（Tc）	150°C	通孔	TO-247	TO-247-3
TK62J60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P Toshiba Semiconductor and Storage	4 现货	1 : ¥114.04000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	61.8A（Ta）	10V	38 毫欧 @ 30.9A，10V	3.7V @ 3.1mA	180 nC @ 10 V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-3P（N）	TO-3P-3，SC-65-3