60A 单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Micro Commercial CoNexperia USA Inc.Renesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V75 V80 V100 V300 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 25A，5V7 毫欧 @ 20A，10V8 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 30A，10V8.6 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 30A，10V12 毫欧 @ 30A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 9mA2.8V @ 250µA3.4V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V27 nC @ 10 V32 nC @ 10 V56 nC @ 10 V75 nC @ 10 V97 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 50 V1650 pF @ 20 V2270 pF @ 50 V2431 pF @ 50 V3600 pF @ 25 V4400 pF @ 25 V5235 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
70W88W（Tj）105W110W128W394W-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WLCSP（3.5x2.13）DFN5060DPAKTO-220-3TO-247-3TO-263-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-XFBGA，WLCSPTO-220-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MBRD6100CT-TP
MCU60N04A-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
13,201
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.35244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A
-
7 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 20 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU60P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
19,134
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.13164
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
5235 pF @ 20 V
-
110W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DFN5060
MCAC60N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
9,983
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.09597
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A
4.5V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
2270 pF @ 50 V
-
88W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
GAN3R2-100CBEAZ
GAN3R2-100CBEAZ
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
835
现货
1 : ¥41.05000
剪切带（CT）
1,500 : ¥15.10783
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
60A
5V
3.2 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 9mA
12 nC @ 5 V
+6V，-4V
1000 pF @ 50 V
-
394W
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WLCSP（3.5x2.13）
8-XFBGA，WLCSP
DFN5060
MCAC60N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Micro Commercial Co
17,697
现货
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.03453
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A
10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
2431 pF @ 50 V
-
88W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1,600 : ¥10.12454
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A
4.5V，10V
12 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
105W
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO247-3
STW75NF30AG
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
600 : ¥28.78252
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
60A
10V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
60A
-
9 毫欧 @ 30A，10V
-
75 nC @ 10 V
-
-
-
128W
-
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A
10V
8.5 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 25 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

60A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。