6.9A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 16

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SQ3419EV-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Vishay Siliconix	14,755 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.05822 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	6.9A（Tc）	4.5V，10V	58 毫欧 @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.3 nC @ 4.5 V	±20V	990 pF @ 20 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SQ3419AEEV-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP Vishay Siliconix	6,536 现货	1 : ¥5.50000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.10548 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	6.9A（Tc）	4.5V，10V	61 毫欧 @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	12.5 nC @ 4.5 V	±12V	975 pF @ 20 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SQ3419AEEV-T1_BE3 P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay Siliconix	3,000 现货	1 : ¥5.50000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.82863 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	6.9A（Tc）	4.5V，10V	61 毫欧 @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	12.5 nC @ 4.5 V	±12V	975 pF @ 20 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IPA90R800C3XKSA2 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 Infineon Technologies	494 现货	1 : ¥21.10000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-FP	TO-220-3 整包
IPP90R800C3XKSA2 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 Infineon Technologies	484 现货	1 : ¥21.10000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
SQ3419EV-T1_BE3 MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Vishay Siliconix	3,835 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.05822 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	6.9A（Tc）	4.5V，10V	58 毫欧 @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.3 nC @ 4.5 V	±20V	990 pF @ 20 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
2SK4099LS-1E MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.9A（Tc）	10V	940 毫欧 @ 4A，10V	-	29 nC @ 10 V	±30V	750 pF @ 30 V	-	2W（Ta），35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3FS	TO-220-3 整包
2SK4099LS MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220FI onsemi	0 现货	停产	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	6.9A（Tc）	10V	940 毫欧 @ 4A，10V	5V @ 1mA	29 nC @ 10 V	±30V	750 pF @ 30 V	-	2W（Ta），35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FI（LS）	TO-220-3 整包
SIS698DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	0 现货查看交期	3,000 : ¥2.36306 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	6.9A（Tc）	6V，10V	195 毫欧 @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	210 pF @ 50 V	-	19.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
FQPF9N15 MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	6.9A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 3.45A，10V	4V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±25V	410 pF @ 25 V	-	44W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
IPA90R800C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-FP	TO-220-3 整包
IPI90R800C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO262-3	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IPP90R800C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
IPW90R800C3FKSA1 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-1	TO-247-3
IPI90R800C3 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	6.9A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 4.1A，10V	3.5V @ 460µA	42 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO262-3	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
SQ3419CEV-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Vishay Siliconix	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	6.9A（Tc）	4.5V，10V	58 毫欧 @ 2.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.3 nC @ 4.5 V	±20V	990 pF @ 20 V	-	5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6