6.9A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13 毫欧 @ 10A,10V19 毫欧 @ 6.9A,4.5V20 毫欧 @ 6.9A,4.5V20 毫欧 @ 9.4A,4.5V26 毫欧 @ 4.1A,10V28 毫欧 @ 6.9A,10V29 毫欧 @ 5A,10V30 毫欧 @ 7A,10V32 毫欧 @ 6.9A,4.5V33 毫欧 @ 6.9A,10V43 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)600mV @ 1.2mA(最小)900mV @ 250µA1.1V @ 10µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.6 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V32 nC @ 4.5 V61 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V12V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
271 pF @ 15 V580 pF @ 15 V735 pF @ 24 V755 pF @ 10 V905 pF @ 10 V1030 pF @ 15 V1136 pF @ 10 V1149 pF @ 10 V2110 pF @ 30 V3180 pF @ 25 V3200 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
550mW(Ta),6.25W(Tc)610mW(Ta)1W(Ta)1.2W(Ta)1.3W(Ta)1.38W(Tj)1.9W(Ta)2W(Ta)2.1W(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-TSOP8-SO8-SOIC8-SOP1206-8 ChipFET™DFN2020MD-6SC-59-3SOT-26SOT-89
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN,5 引线8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN16XNEX
MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
21,450
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80972
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
1.5V,4.5V
19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±12V
1136 pF @ 10 V
-
550mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SOT-23-6
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Infineon Technologies
51,720
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
2.5V,4.5V
32 毫欧 @ 6.9A,4.5V
1.1V @ 10µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
905 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
SC-59-3
DMN2020LSN-7
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Diodes Incorporated
84,157
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02253
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
11.6 nC @ 4.5 V
±12V
1149 pF @ 10 V
-
610mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 26
DMN3033LDM-7
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
Diodes Incorporated
8,848
现货
141,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 6.9A,10V
2.1V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
755 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
6-TSOP
AO6400
MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
4,479
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09800
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
2.5V,10V
28 毫欧 @ 6.9A,10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
1030 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
6-DFN2020MD_View 2
PMPB50ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
3,000
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91638
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 5.1A,10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
271 pF @ 15 V
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4707NT1G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
735 pF @ 24 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Infineon Technologies
9,784
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.28543
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.9A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 4.1A,10V
5.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
353
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
2.5V,10V
30 毫欧 @ 7A,10V
1.4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
12V
580 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.98380
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.9A(Ta)
6V,10V
29 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
2110 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS4101PR2
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
onsemi
0
现货
2,500 : ¥2.82947
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.9A(Ta)
2.5V,4.5V
19 毫欧 @ 6.9A,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
32 nC @ 4.5 V
±8V
3200 pF @ 10 V
-
1.38W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4707NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥3.44924
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.9A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
735 pF @ 24 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
Pkg 5547
SI5406DC-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥4.07441
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6.9A(Ta)
2.5V,4.5V
20 毫欧 @ 6.9A,4.5V
600mV @ 1.2mA(最小)
20 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
1206-8 ChipFET™
8-SMD,扁平引线
IRF7473PBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.9A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 4.1A,10V
5.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 14

6.9A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。