6.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSIVHEXFET®PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V15 毫欧 @ 7.4A,4.5V20 毫欧 @ 11A,4.5V20 毫欧 @ 5.8A,10V20 毫欧 @ 6.2A,10V22 毫欧 @ 10.3A,10V23 毫欧 @ 6.2A,10V24 毫欧 @ 6.2A,4.5V24 毫欧 @ 8.1A,10V25 毫欧 @ 3A,4.5V25 毫欧 @ 4A,10V36 毫欧 @ 4.6A,4.5V36 毫欧 @ 5.9A,10V40 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA900mV @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.7V @ 310µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.3 nC @ 4.5 V10.9 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V14.4 nC @ 4.5 V16 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V18.4 nC @ 10 V18.6 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
390 pF @ 300 V440 pF @ 15 V492 pF @ 15 V582 pF @ 20 V600 pF @ 15 V680 pF @ 15 V856 pF @ 10 V873 pF @ 15 V895 pF @ 10 V1125 pF @ 10 V1400 pF @ 6 V1537 pF @ 10 V1740 pF @ 50 V1900 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
540mW(Ta),6.25W(Tc)556mW(Ta),12.5W(Tc)652mW(Ta),7.5W(Tc)660mW(Ta)700mW(Ta),8.3W(Tc)860mW(Ta)900mW(Ta)1.08W(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.6W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP6-WLCSP(1.48x0.98)8-MSOP8-SO8-SOIC8-TSSOPDPAKIPAKPowerPAK® SO-8SC-74SOT-23-3SuperSOT™-6TO-220SISTO-236AB
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式6-PowerUDFN6-XFBGA,WLCSP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)PowerPAK® SO-8SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
37结果
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/ 37
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
220,905
现货
5,421,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83177
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,778
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99596
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5.8A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 15 V
-
700mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
onsemi
8,439
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.2A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
895 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC637AN
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
onsemi
6,007
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.50131
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.2A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1125 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
371,934
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.52848
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 6.2A,10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252AA
FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
onsemi
8,903
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.94200
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6.2A(Ta)
10V
36 毫欧 @ 5.9A,10V
4.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1740 pF @ 50 V
-
3.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,769
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.11833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 10.3A,10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
AOSS32334C
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
11,227
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74207
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 6.2A,10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TO-236AB
PMV15ENER
PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
4,380
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91611
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5.8A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 15 V
-
700mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3028LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Diodes Incorporated
51,036
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
10.9 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
IRF7241TRPBF
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Infineon Technologies
15,179
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.15541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
41 毫欧 @ 6.2A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SO-8
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,450
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.11833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 10.3A,10V
3V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
AP6320x
DMN2028UVT-7
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Diodes Incorporated
1,658
现货
129,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91351
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.2A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
8.3 nC @ 4.5 V
±8V
856 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
U-DFN2020-6 Type E
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
1,618
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15571
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.2A(Ta)
1.8V,4.5V
36 毫欧 @ 4.6A,4.5V
1.1V @ 250µA
14.4 nC @ 4.5 V
±12V
1537 pF @ 10 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN20ENAX
MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
21,495
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32083
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 6.2A,10V
2.7V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
582 pF @ 20 V
-
652mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
186
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.2A(Ta)
10V
820 毫欧 @ 3.1A,10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK
1,999
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.94433
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.2A(Ta)
10V
820 毫欧 @ 3.1A,10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-74, SOT-457
PMN25EN,115
MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 6.2A,10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 15 V
-
540mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-74
SC-74,SOT-457
PMCM6501VPEZ
PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
Nexperia USA Inc.
4,435
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
4,500 : ¥1.78411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6.2A(Ta)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
29.4 nC @ 4.5 V
±8V
1400 pF @ 6 V
-
556mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WLCSP(1.48x0.98)
6-XFBGA,WLCSP
TO-220SIS
TK6A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
45
现货
1 : ¥17.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.2A(Ta)
10V
750 毫欧 @ 3.1A,10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
SOT-23-3
DMN3023L-13
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
0
现货
60,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.71750
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
AP6320x
DMN2028UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.78802
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.2A(Ta)
2.5V,4.5V
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
1.5V @ 250µA
8.3 nC @ 4.5 V
±8V
856 pF @ 10 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
DMN3028L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
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10,000 : ¥1.06711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
10.9 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3028LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
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200,000
工厂
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卷带(TR)
-
卷带(TR)
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
10.9 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3028L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
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3,000 : ¥1.21077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
2.5V,10V
25 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
10.9 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 15 V
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860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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6.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。