5A(Ta),32A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 20A,10V37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16.6 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
964 pF @ 15 V2000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
860mW(Ta),33.8W(Tc)2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)TO-251ATO-252(DPAK)
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
98,793
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.07850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5A(Ta),32A(Tc)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 10A,10V
2.7V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-WDFN
NTTFS4800NTAG
MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
onsemi
0
现货
1,500 : ¥4.37624
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta),32A(Tc)
4.5V,11.5V
20 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
964 pF @ 15 V
-
860mW(Ta),33.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-251A
AOI482
MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5A(Ta),32A(Tc)
4.5V,10V
37 毫欧 @ 10A,10V
2.7V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线,IPAK
显示
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5A(Ta),32A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。