560mA（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFD9220PBF MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥21.75000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	560mA（Ta）	10V	1.5 欧姆 @ 340mA，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	4-HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）
IRFD9220 MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	560mA（Ta）	10V	1.5 欧姆 @ 340mA，10V	4V @ 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	4-HVMDIP	4-DIP（0.300"，7.62mm）