540mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V55 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 540mA,4.5V650 毫欧 @ 270mA,10V990 毫欧 @ 100mA,4.5V1 欧姆 @ 400mA,4.5V2 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 540mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 2.7µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.87 nC @ 10 V0.9 nC @ 4.5 V2.26 nC @ 10 V4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21.5 pF @ 15 V30.2 pF @ 25 V74 pF @ 25 V75 pF @ 25 V76 pF @ 15 V150 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)200mW(Ta)360mW(Ta)430mW(Ta)440mW(Ta)460mW(Ta)1.13W(Ta)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-223-4SOT-323SOT-523X1-DFN1212-3X2-DFN0604-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-UDFN3-XFDFNSC-70,SOT-323SOT-523TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
24,823
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
298,253
现货
6,072,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
X2-DFN1006-3
DMP31D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Diodes Incorporated
84,268
现货
120,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.80862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-523
DMN2004TK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Diodes Incorporated
482,591
现货
159,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71832
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
3-XDFN
DMN62D0SFD-7
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Diodes Incorporated
17,372
现货
192,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
540mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
0.87 nC @ 10 V
±20V
30.2 pF @ 25 V
-
430mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
X2-DFN0604-3
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Diodes Incorporated
9,968
现货
500,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30446
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.5V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±8V
21.5 pF @ 15 V
-
440mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
SOT-323
DMN2004WKQ-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
0
现货
3,573,000
工厂
查看交期
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87268
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS670S2L
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT223-3L
FDT461N
MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 540mA,10V
2V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
74 pF @ 25 V
-
1.13W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
BSS670S2LL6327HTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 10

540mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。