50A（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 29
制造商
onsemiRenesas Electronics CorporationSanken Electric USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™PowerTrench®U-MOSIV-HU-MOSVIU-MOSVI-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V60 V100 V250 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V2.8 毫欧 @ 25A，10V2.9 毫欧 @ 25A，10V3.2 毫欧 @ 25A，10V3.5 毫欧 @ 25A，10V3.7 毫欧 @ 25A，10V5.2 毫欧 @ 50A，10V6.6 毫欧 @ 17A，10V7.5 毫欧 @ 25A，10V8.7 毫欧 @ 25A，10V8.7 毫欧 @ 50A，10V9.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.3V @ 200µA2.3V @ 250µA2.3V @ 500µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.6V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.2V @ 250µA4.5V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 4.5 V11.1 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V25.3 nC @ 10 V27 nC @ 10 V34 nC @ 4.5 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V45 nC @ 4.5 V47 nC @ 10 V58 nC @ 10 V59 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1650 pF @ 10 V1656 pF @ 20 V1680 pF @ 50 V1700 pF @ 10 V1770 pF @ 30 V2000 pF @ 10 V2400 pF @ 20 V2600 pF @ 10 V2600 pF @ 25 V2700 pF @ 10 V3000 pF @ 10 V3150 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta），84W（Tc）1.6W（Ta），45W（Tc）2.8W（Ta），83W（Tc）3.1W（Ta），77W（Tc）25W（Ta）25W（Tc）30W（Tc）35W（Tc）40W（Tc）45W（Tc）47W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C150°C（TJ）175°C175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（5x6）8-WPAK（3）ATPAKDPAKDPAK+LFPAKTO-220-3TO-220ABTO-220ABATO-220FTO-220FPTO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNATPAK（2 引线 + 凸片）SC-100，SOT-669TO-220-3 整包TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-3P-3 整包TO-3P-3，SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-VSONP
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
7,251
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.35736
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
3,179
现货
1 : ¥11.16000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.63426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-VSONP
CSD19537Q3T
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
2,291
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
250 : ¥7.96768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18534Q5AT
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Texas Instruments
3,288
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
250 : ¥8.55412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 14A，10V
2.3V @ 250µA
11.1 nC @ 4.5 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
1,791
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.70893
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD18504Q5AT
MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON
Texas Instruments
5,144
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
250 : ¥8.52260
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
2,500
现货
1 : ¥23.48000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.58651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
10V
3.2 毫欧 @ 25A，10V
-
39 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
6,000
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38849
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
2.9 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
34 nC @ 4.5 V
±20V
5600 pF @ 10 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WPAK（3）
8-PowerWDFN
8,848
现货
1 : ¥18.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.32584
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
-
25 nC @ 4.5 V
±20V
4720 pF @ 10 V
-
45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
WPAK（3F）（5x6）
8-PowerVDFN
3,960
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.99853
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），84W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥25.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
10V
11 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
59 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 10 V
-
25W（Ta）
150°C
-
-
通孔
TO-220ABA
TO-220-3
TO-252AA
FDD8445-F085P
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
10V
8.7 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
79W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
ATPAK
ATP202-TL-H
MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.93243
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 25A，10V
-
27 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 10 V
-
40W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 200µA
25.3 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 10 V
-
47W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 500µA
38 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 10 V
-
60W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
ATPAK
ATP213-TL-H
MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
onsemi
0
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.30027
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
4V，10V
16 毫欧 @ 25A，10V
-
58 nC @ 10 V
±20V
3150 pF @ 20 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
TO-220-3 Full Pack
FKV550N
MOSFET N-CH 50V 50A TO220F
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
3,750 : ¥12.72819
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
50A（Ta）
10V
15 毫欧 @ 25A，10V
4.2V @ 250µA
-
±20V
2000 pF @ 10 V
-
35W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
0
现货
停产
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 1mA
88 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
在售
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
45 nC @ 4.5 V
±20V
6650 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
TO-3P-3 Full Pack
FKP250A
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
1,080 : ¥36.49063
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
50A（Ta）
10V
43 毫欧 @ 25A，10V
4.5V @ 1mA
-
±30V
3800 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3 整包
0
现货
在售
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Ta）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 25A，10V
-
75 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 10 V
-
30W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100，SOT-669
ATPAK
ATP107-TL-H
MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 25A，10V
-
47 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 20 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
10V
11 毫欧 @ 25A，10V
-
59 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 10 V
-
125W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
10V
11 毫欧 @ 25A，10V
-
59 nC @ 10 V
±20V
4150 pF @ 10 V
-
25W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
0
现货
在售
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
50A（Ta）
10V
64 毫欧 @ 25A，10V
-
60 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
显示
/ 29

50A（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。