5.9A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V200 V800 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 4A,4.5V37 毫欧 @ 1.5A,4.5V45 毫欧 @ 4.2A,10V400 毫欧 @ 3.5A,10V975 毫欧 @ 1.7A,18V1.2 欧姆 @ 2.95A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 630µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8 nC @ 4.5 V17 nC @ 18 V21 nC @ 10 V36 nC @ 8 V43 nC @ 10 V57 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V+22V,-6V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
275 pF @ 800 V410 pF @ 20 V590 pF @ 15 V800 pF @ 25 V2350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
280mW(Tj)1W(Ta),1.7W(Tc)1.25W(Ta),2.5W(Tc)35W(Tc)57W(Tc)107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)SOT-23(TO-236AB)TO-220-3TO-268TO-3PF
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AATO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
17,563
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.9A(Tc)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.2A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
31,425
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70201
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Tc)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB Full Pack
IRFI630GPBF
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Vishay Siliconix
1,685
现货
1 : ¥23.31000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5.9A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
SCT2xxxNYTB
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥55.17000
剪切带(CT)
400 : ¥37.09250
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5.9A(Tc)
18V
975 毫欧 @ 1.7A,18V
4V @ 630µA
17 nC @ 18 V
+22V,-6V
275 pF @ 800 V
-
57W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
TO-268
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
SOT-23
PMV31XN,215
MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.9A(Tc)
2.5V,4.5V
37 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.5V @ 1mA
5.8 nC @ 4.5 V
±12V
410 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23(TO-236AB)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220AB Full Pack
IRFI630G
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5.9A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-220F
FQAF8N80
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
5.9A(Tc)
10V
1.2 欧姆 @ 2.95A,10V
5V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±30V
2350 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
显示
/ 7

5.9A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。