5.4A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-CoolSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V20 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 5.4A,4.5V880mOhm @ 1A, 15V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA5.7V @ 1.2mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 12 V6.2 nC @ 4.5 V30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V15V,12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
233 pF @ 1000 V2400 pF @ 6.4 V
功率耗散(最大值)
400mW1.3W(Ta)70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-WLCSP(0.78x0.78)ChipFET™PG-TO247-3-U04
封装/外壳
4-XFBGA,WLCSP8-SMD,扁平引线TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-ChipFET
NTHS2101PT1
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.4A(Tj)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±8V
2400 pF @ 6.4 V
-
1.3W(Ta)
-
-
-
表面贴装型
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
WLCSP4
PMCM4401UNEZ
MOSFET N-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
46,160
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.83794
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.4A(Tj)
2.5V,4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
0
现货
查看交期
1 : ¥51.09000
托盘
托盘
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
5.4A(Tj)
12V,15V
880mOhm @ 1A, 15V
5.7V @ 1.2mA
5.5 nC @ 12 V
15V,12V
233 pF @ 1000 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-U04
TO-247-3
8-ChipFET
NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.4A(Tj)
1.8V,4.5V
25 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±8V
2400 pF @ 6.4 V
-
1.3W(Ta)
-
-
-
表面贴装型
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
显示
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5.4A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。