5.3A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 51
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-FemtoFET™FETKY™HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVI-HXP2306µCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13 毫欧 @ 8A,10V18 毫欧 @ 10A,10V18.6 毫欧 @ 10A,10V23 毫欧 @ 7A,4.5V24 毫欧 @ 7A,4.5V25 毫欧 @ 12A,10V27 毫欧 @ 5.2A,10V27 毫欧 @ 7A,10V27 毫欧 @ 7A,4.5V30 毫欧 @ 4A,10V30 毫欧 @ 5.5A,10V34毫欧 @ 5.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)750mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 20µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 100µA2.3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.6 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 10 V7 nC @ 5 V7.8 nC @ 10 V8 nC @ 5 V8.1 nC @ 10 V8.7 nC @ 4.5 V8.8 nC @ 5 V9.2 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-12V±5V±8V±12V16V20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
290 pF @ 10 V309 pF @ 15 V336 pF @ 25 V382 pF @ 15 V404 pF @ 15 V528 pF @ 15 V533 pF @ 10 V535 pF @ 15 V580 pF @ 15 V590 pF @ 10 V603 pF @ 15 V620 pF @ 15 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
480mW(Ta),1.2W(Tc)560mW(Ta),6.25W(Tc)650mW(Ta)660mW(Ta)700mW(Ta)800mW900mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.12W(Ta)1.2W(Ta)1.3W(Ta)1.38W(Ta)1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-Microfoot6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)6-WLCSP(1x1.5)8-MSOP8-SO8-SOICMicro3™/SOT-23PG-TSOP6-6POWERDI3333-8SOT-23SOT-23-3SOT-26
封装/外壳
3-XFDFN4-XFBGA,CSPBGA6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-UFBGA,WLCSP8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSOP(0.130",3.30mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
51结果
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/ 51
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
211,416
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 5.2A,10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
FDS9435A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
onsemi
10,627
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.09368
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
528 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT 26
DMG6402LDM-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Diodes Incorporated
12,527
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
404 pF @ 15 V
-
1.12W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
TO-236AB
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
4,282
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55931
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.2A,10V
3V @ 250µA
19.2 nC @ 10 V
±20V
793 pF @ 15 V
-
480mW(Ta),1.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
19,521
现货
387,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66937
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
PowerDI3333-8
DMN3027LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
8,854
现货
10,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.10902
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
18.6 毫欧 @ 10A,10V
1.8V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
Pkg 5540
SI3499DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,569
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.3A(Ta)
1.5V,4.5V
23 毫欧 @ 7A,4.5V
750mV @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±5V
-
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
5,540
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.36632
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
41 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
8.8 nC @ 5 V
20V
920 pF @ 30 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
3-PICOSTAR
CSD25485F5T
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
2,455
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
250 : ¥5.01852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.3A(Ta)
1.8V,8V
35 毫欧 @ 900mA,8V
1.3V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
-12V
533 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-23-3
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,980
现货
57,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60968
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
8.1 nC @ 10 V
±20V
309 pF @ 15 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMN3029LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Diodes Incorporated
2,000
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.19487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
18.6 毫欧 @ 10A,10V
1.8V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8 SO
DMP3098LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP
Diodes Incorporated
2,470
现货
30,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.34896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 5.3A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
336 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30XPEX
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
1,099
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10298
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.3A(Ta)
2.5V,4.5V
34毫欧 @ 5.3A,4.5V
1.25V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±12V
1465 pF @ 10 V
-
560mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
NTLUS020N03CTAG
NTLUS020N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
onsemi
2,350
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 8A,10V
2.2V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 15 V
-
650mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
8 MSOP
ZXMN3A02X8TA
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Diodes Incorporated
730
现货
12,000
工厂
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.35249
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 12A,10V
1V @ 250µA
26.8 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MSOP
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
BAT54
GSFC0304
MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Good-Ark Semiconductor
4,150
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
2.5V,4.5V
36 毫欧 @ 4A,4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SO
DI9435T
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
Diodes Incorporated
0
现货
1 : ¥20.28000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
-
50 毫欧 @ 5.3A,10V
1.4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
-
950 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-SO
8-TSOP(0.130",3.30mm 宽)
TSOP-6-Single
SI3499DV-T1-BE3
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Siliconix
870
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.3A(Ta)
1.5V,4.5V
23 毫欧 @ 7A,4.5V
750mV @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±5V
-
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
XP60PN72REN
XP2306GN
MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23
YAGEO XSEMI
396
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.3A(Ta)
2.5V,10V
30 毫欧 @ 5.5A,10V
1.25V @ 250µA
8.7 nC @ 4.5 V
±12V
603 pF @ 15 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3069L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.50412
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 4A,10V
1.8V @ 250µA
8.1 nC @ 10 V
±20V
309 pF @ 15 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
0
现货
查看交期
7,500 : ¥0.90418
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
5V,10V
72 毫欧 @ 2.7A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
16V
590 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMN3029LFG-13
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Diodes Incorporated
0
现货
12,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.19487
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
18.6 毫欧 @ 10A,10V
1.8V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3030LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
现货
2,000 : ¥1.28415
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
17.4 nC @ 10 V
±25V
751 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMN6040SFDEQ-13
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
20,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥1.41743
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMN6040SFDEQ-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.55075
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 4.3A,10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
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5.3A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。