480mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V250 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
125 pF @ 25 V200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）1.6W（Tc）
供应商器件封装
SOT-89-3TO-243AA（SOT-89）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
TP2510N8-G
MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
Microchip Technology
16,692
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.44136
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
480mA（Tj）
10V
3.5 欧姆 @ 750mA，10V
2.4V @ 1mA
±20V
125 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
C04-029 MB
TN2425N8-G
MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Microchip Technology
1,517
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.59078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
480mA（Tj）
3V，10V
3.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±20V
200 pF @ 25 V
-
1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
显示
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480mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。