45A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 39
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageWeEn Semiconductors
系列
-HEXFET®U-MOSIVU-MOSVIU-MOSVI-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V50 V60 V100 V200 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V5V6V,10V7V,10V10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.35 毫欧 @ 50A,10V2.2 毫欧 @ 23A,10V2.7 毫欧 @ 22.5A,10V2.8 毫欧 @ 22.5A,10V3 毫欧 @ 22.5A,10V3.5 毫欧 @ 22.5A,10V3.8 毫欧 @ 22.5A,10V4.2 毫欧 @ 22.5A,10V4.8 毫欧 @ 22.5A,10V5.8 毫欧 @ 23A,10V6.3 毫欧 @ 22.5A,10V9.7 毫欧 @ 22.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 100µA2.3V @ 200µA2.5V @ 1mA3V @ 1mA3.5V @ 1mA3.5V @ 500µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 1mA4.5V @ 6mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21.2 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V27 nC @ 4.5 V32 nC @ 5 V34 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V46 nC @ 10 V52 nC @ 10 V59 nC @ 20 V60 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V+20V,-25V±20V+25V,-10V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1350 pF @ 1000 V1500 pF @ 10 V1700 pF @ 25 V1725 pF @ 25 V1800 pF @ 10 V2000 pF @ 25 V2300 pF @ 10 V2400 pF @ 25 V2550 pF @ 10 V3240 pF @ 10 V3350 pF @ 10 V3500 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),132W(Tc)1.6W(Ta),45W(Tc)2W(Ta),30W(Tc)2.4W(Ta),125W(Tj)3.6W(Ta),104W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)55W(Tc)60W(Tc)65W(Tc)95W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-LFPAK8-DSOP Advance8-SOP Advance(5x5)8-WPAKD2PAKDPAKLFPAKLPTSPQFN(5x6)TO-220TO-220FLTO-220MLTO-220NISTO-220SM
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-WFDFN 裸露焊盘SC-100,SOT-669TO-220-3 整包TO-220-3TO-220-3(SMT)标片TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
39结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 39
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2,500
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.39553
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45A(Ta)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 22.5A,10V
-
26 nC @ 4.5 V
±20V
4030 pF @ 10 V
-
55W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
9,074
现货
1 : ¥14.12000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.10570
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
45A(Ta)
6V,10V
6.3 毫欧 @ 22.5A,10V
3.5V @ 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 10 V
-
960mW(Ta),132W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
2,500
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.39553
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 22.5A,10V
-
27 nC @ 4.5 V
±20V
4300 pF @ 10 V
-
55W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
7,490
现货
1 : ¥22.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.03514
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45A(Ta)
10V
3.8 毫欧 @ 22.5A,10V
-
34 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 10 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
2,500
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.90990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 22.5A,10V
2.5V @ 1mA
42 nC @ 4.5 V
±20V
6100 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
6,000
现货
3,000 : ¥6.22884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 22.5A,10V
-
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
3850 pF @ 10 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-WPAK
8-WFDFN 裸露焊盘
374
现货
1 : ¥15.19000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.59060
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
45A(Ta)
6V,10V
6.3 毫欧 @ 22.5A,10V
3.5V @ 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 10 V
-
960mW(Ta),132W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥34.40000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
45A(Ta)
10V
47 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 1mA
66 nC @ 10 V
±30V
4800 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
150°C
通孔
TO-220FL
TO-220-3 整包
D2PAK
NTBV45N06T4G
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
-
26 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
-
1725 pF @ 25 V
-
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
1,171
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 23A,10V
2.5V @ 1mA
113 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta),45W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
D2PAK
NTB45N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 22.5A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1700 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RSJ450N04TL
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Rohm Semiconductor
1,949
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.24169
卷带(TR)
1,000 : ¥9.48377
卷带(TR)
-
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
45A(Ta)
10V
13.5 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 1mA
43 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
2,500 : ¥8.27072
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 22.5A,10V
-
27 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 10 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
5-LFPAK
SC-100,SOT-669
D2PAK
NTB45N06T4G
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D2Pak
SKP202
MOSFET N-CH 200V 45A TO263-3
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
1,600 : ¥15.22141
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
45A(Ta)
10V
53 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 1mA
-
±30V
2000 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-Power TDFN
IRFH4210TRPBF
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
45A(Ta)
4.5V,10V
1.35 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 100µA
74 nC @ 10 V
±20V
4812 pF @ 13 V
-
3.6W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263-3, D2Pak
SKP202VR
MOSFET N-CH 200V 45A TO263-3
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
800 : ¥17.77683
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
45A(Ta)
10V
53 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 1mA
-
±30V
2000 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3 Full Pack
FKP202
MOSFET N-CH 200V 45A TO220
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
3,750 : ¥18.39704
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
45A(Ta)
10V
53 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 1mA
-
±30V
2000 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3 整包
0
现货
在售
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
45A(Ta)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 22.5A,10V
2.5V @ 1mA
27 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 10 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
WNSCM80120RQ
WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
WeEn Semiconductors
0
现货
查看交期
480 : ¥74.54002
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
45A(Ta)
20V
98 毫欧 @ 20A,20V
4.5V @ 6mA
59 nC @ 20 V
+25V,-10V
1350 pF @ 1000 V
-
270W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
D2PAK
NTB45N06LT4
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 22.5A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1700 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
NTP45N06L
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 22.5A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1700 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
NTP45N06
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
NTP45N06G
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
10V
26 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1725 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
NTP45N06LG
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
45A(Ta)
5V
28 毫欧 @ 22.5A,5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1700 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 39

45A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。