4.5A 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Good-Ark SemiconductorInternational RectifierMicro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
20 V450 V800 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 3.6A，4.5V1.3 欧姆 @ 2.5A，10V1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4 nC @ 4.5 V11.5 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
300 pF @ 10 V396 pF @ 100 V800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.3W75W（Tc）88W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23TO-252（DPAK）TO-3
封装/外壳
TO-204AA，TO-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,898
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.82228
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
4.5A
10V
1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
4.5V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
396 pF @ 100 V
-
88W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GSFKW0202
SSF2300
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
11,865
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
4 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 10 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MC78M05BTG
IRF431
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
International Rectifier
1,201
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
4.5A
-
1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
显示
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4.5A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。