38A(Ta),250A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-LFPAK
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线SOT-1205,8-LFPAK56
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK8
NVMJS1D6N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
onsemi
8,110
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.11960
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205,8-LFPAK56
LFPAK8
NTMJS1D6N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥26.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.96862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205,8-LFPAK56
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C612NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
1,500 : ¥15.64725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C612NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥34.07000
剪切带(CT)
1,500 : ¥17.60121
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C612NLAFT3G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥15.22111
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C612NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥15.90048
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta),250A(Tc)
4.5V,10V
1.36 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
6660 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 6

38A(Ta),250A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。