38A(Ta),250A(Tc) 单 FET,MOSFET
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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8,110 现货 | 1 : ¥22.41000 剪切带(CT) 3,000 : ¥10.11960 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 8-LFPAK | SOT-1205,8-LFPAK56 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥26.60000 剪切带(CT) 3,000 : ¥12.96862 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-LFPAK | SOT-1205,8-LFPAK56 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥30.29000 剪切带(CT) 1,500 : ¥15.64725 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥34.07000 剪切带(CT) 1,500 : ¥17.60121 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装,可润湿侧翼 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 | 5,000 : ¥15.22111 卷带(TR) | - | 卷带(TR) | 不适用于新设计 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 | ||
0 现货 | 5,000 : ¥15.90048 卷带(TR) | - | 卷带(TR) | 不适用于新设计 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 38A(Ta),250A(Tc) | 4.5V,10V | 1.36 毫欧 @ 50A,10V | 2V @ 250µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6660 pF @ 25 V | - | 3.8W(Ta),167W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-PowerTDFN,5 引线 |
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