37A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesYAGEO XSEMI
系列
AlphaSGT™OptiMOS™XP4060C
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.05 毫欧 @ 50A,10V1.1 毫欧 @ 30A,10V2.25 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
52.8 nC @ 10 V68 nC @ 10 V72 nC @ 10 V87 nC @ 10 V90 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3200 pF @ 25 V3660 pF @ 30 V4300 pF @ 15 V4700 pF @ 15 V6200 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),139W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)5W(Ta),52W(Tc)6.2W(Ta),119W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-7PMPAK® 5 x 6
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
41,540
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.23089
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
59,230
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.63209
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,058
现货
1 : ¥27.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.94512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.05 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
XP3832CMT
XP4060CMT
MOSFET N-CH 30V 37A 100A PMPAK
YAGEO XSEMI
1,000
现货
1 : ¥23.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.54792
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.25 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
52.8 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 25 V
-
5W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PMPAK® 5 x 6
8-PowerLDFN
PG-TDSON-8-1
ISC011N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.53575
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
3,000 : ¥7.90256
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
3660 pF @ 30 V
-
6.2W(Ta),119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
显示
/ 6

37A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。